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[讨论] DC-DC 理论效率

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发表于 2008-1-10 15:59:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
有哪位高手能解释清楚从DC-DC的原理及理论上分析哪些因素影响它的变换效率,前提是电感和续流二极管都是理想状态,谢谢!
发表于 2008-3-23 11:17:49 | 显示全部楼层
那主要就是开关管的导通时间和存储时间(bip)特别是后者了。对于外围线路主要是负载影响效率了。
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 楼主| 发表于 2008-3-28 11:34:06 | 显示全部楼层

谢谢回复

如果只是这个原因的话,是否说单纯提高开关频率就可以使效率提高?另外负载是如何影响效率的?就是说如何根据不同负载来设计得到高效率?再谢谢了!欢迎高手来讨论,不要让研发网失去人气。
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发表于 2008-4-28 21:42:23 | 显示全部楼层
并不是频率越高越好.因为开关管不仅有开关损耗,还有交流损耗,而且,现在交流损耗一般比开关损耗大(基本拓补结构). 至于负载影响效率,还是开关管的影响,重载,开关管流大电流,势必是损耗上去.所以现在有很多IC芯片在轻载时采用降频技术,使损耗下降
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发表于 2008-5-5 20:03:48 | 显示全部楼层
从IC设计方面考量,可从以下进行考虑和查找资料:
主要分为
1.开关损耗
2.交流损耗
3.交叠损耗
4.驱动损耗(较小)

由效率最优化考虑可找出 驱动mosfet 最优size和tape ratio
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