请教：mos传输门如何驱动负载??

cyx123 · 发表于 2008-1-5 23:59:20

我在做一个模拟开关的设计，用cmos开关传输指定电压，但在仿真时接负载的情况下，mos管输出端的电压很低，接近0V，而管子工作电压是5V，请问：如何把mos管的驱动能力提高？？？？
多谢！！！！

huixuemei · 发表于 2008-1-7 16:49:29

我认为可能是你的负载太小了，流过负载的电流比较大，大电流使得MOS管进入了饱和区。
可以试着将MIOS管的宽长比增大；
还有要考虑你的传输门工作的频率是不是过高。

cedricwung · 发表于 2008-1-15 14:00:28

当然，你还可以看看输入信号功率

xzjsap · 发表于 2008-1-17 12:32:29

cmos ic驅動能力5ma左右,如果你的負载電流要求大淤此值,可另加一級射極跟隨器作電流放大來擬補此弱點!!![em01]

cyx123 · 发表于 2008-3-9 10:38:40

的确是与负载电阻大小有关系！！

我现在分别用200欧和2k以上的电阻来试验
如果是电阻为200欧，则输出会有电流，但是输出电压下降很厉害，输入5V，输出不到1V，这个是不是mos门的的导通内阻太大的原因？
如果负载是2k以上的电阻，则不会有上面的问题，且输出电流和电压都正确！

这就不清楚具体原因是什么了？？

请各位大哥继续支持阿！！！多谢！！

zdbz · 发表于 2008-3-11 10:38:27

听你的试验结果描述，貌似cmos的内阻好大啊，你看看：5V-〉1V，负载是200ohm，那么内阻不就是要等于800ohm了啊。。。。

cyx123 · 发表于 2008-3-11 22:46:52

To zdbz
说得很对，我今天测cmos传输门的内阻，输入0.1V～5V，DC 扫描，导通电阻在400欧到2K变化，且在2.5V左右导通电阻最大，达到1.9K，宽长比是P管48/0.6,N管24/0.6,如果再改变W/L，电阻还是没有变化。是不是内阻变化很大啊？

另外，输入电压在0～0.12V时，仿真的内阻居然是负值，从几百K欧逐渐上升到正值！
不知这都是什么原因？？

一些datasheet的Ron可以达到几十欧，请问是如何达到的？？

谢谢各位好心人帮忙啊！！

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