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发表于 2010-3-23 11:20:43
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抢钱啊,文不对题
抢钱啊,文不对题
本文来自:我爱研发网(52RD.com) - R&D大本营
详细出处:http://52rd.com/bbs/Post.asp?Action=re&BoardID=103&ID=110242&Star=1&Page=1
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【文件名】:10323@52RD_071228@52RD_电感.doc
【格 式】:doc
【大 小】:348K
【简 介】:
【目 录】:
名称为“MEMS电感器件”
1.片上螺旋电感的限定因素
MEMS电感器件也可称为微电感器件, 电感在RF电路中扮演着极重要的角色,它对于很多电路设计都非常重要,例如,LNA,VCO,滤波器等,因此本文就RF MEMS中电感的结构作一简要的介绍。随着硅IC技术的发展,使发射系统集成在同一芯片上成为可能。而能否单片集成无线通信系统,高性能的片上电感十分关键。片上平面螺旋电感广泛应用于RFIC中,用来实现调谐和阻抗变换。但是平面电感有很大的衬底损耗,寄生电阻和寄生电容(特别在硅衬底上),结果导致它们的品质因数Q和自振频率很低。近年来随着MEMS技术的发展,提高片上螺旋电感的性能成为可能。近年来这方面的研究主要有:垂直平面螺旋电感,悬浮螺旋电感和线管电感,如图1是其中的一种结构,它在6GHz时Q值的最大值为70,1GHz时电感量为1. 38nH,自谐振频率高于20GHz。值得一提的是,这几种电感都是通过减小衬底损耗,寄生和线圈电阻来改进电感性能的。 |
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