请问手机充电电路为什么都用PMOS管

ccforever · 发表于 2007-12-17 18:20:08

请问手机充电电路为什么都用PMOS管？不知道相比于Nmos来讲PMOS的优点在哪里，好像说是什么栅极驱动的问题，不过我不明白具体的原理，哪位好心人能给点解答，我实在在网上搜不到了，谢谢了……！

zdbz · 发表于 2008-1-5 14:38:10

6楼所说的很对，我原以为只是因为导通电组，回头看了一下NMOS参数，发现NMOS门极电压也很重要。
NMOS 导通条件一般是D-->S,需要Vgs>Vt(导通门限电压，正值)，如果Vds<Vgs-Vt NMOS就处于三极管区
如果Vds>Vgs-Vt NMOS就处于饱和区
PMOS 导通条件一般是S-->D,需要Vgs<Vt(导通门限电压，负值)..........................

banyan · 发表于 2007-12-18 08:29:23

低电平使能，很方便

ccforever · 发表于 2007-12-18 09:42:36

低电平很好理解，只是我不清楚在USB或充电器插上一瞬间，由于VG在PMU内部是通过电阻下拉接地的。通过VGS肯定满足让PMOS导通的条件，这时瞬时充电电压和电流不是很高吗？这是怎么控制的呢？

ccforever · 发表于 2007-12-18 09:57:52

呵呵，怎么我在这个论坛上提了几个问题都只有一两个人会教我哦，上次问耳机MIC的输入变成伪差分的优点和原理，也没有愿意帮我……呵呵

zdbz · 发表于 2007-12-28 14:31:34

这个主要是POMS和NMOS的制作工艺决定的
PMOS有一个很重要的优点，就是导通时候的低阻抗，这个对于要求过大电流的场合很适用
根本与使能电平无关[br]+1 RD币

hintman · 发表于 2008-1-3 15:17:35

MOSFET在充电电路中都是用在High Side的通路控制，NMOS导通时需要门极驱动电平高于源极(S)，导通时D-S电位视为一致，如果用NMOS做通路控制，需要驱动电压高于输入电源电压(这样要求驱动电路内部有升压电路产生高于输入电源电压的供电给驱动电路)，如果用PMOS做通路控制，就没有这个问题，驱动起来更方便。[br]+1 RD币

matthews_liu · 发表于 2008-1-4 20:53:10

控制端的电压最大才3.0V 若要保证MOSFET 导通,则必须采用P-MOSFET

tiankai · 发表于 2009-12-11 16:08:12

这个主要是POMS和NMOS的制作工艺决定的
PMOS有一个很重要的优点，就是导通时候的低阻抗，这个对于要求过大电流的场合很适用
根本与使能电平无关
------------------------------------
这个说法不准确吧，RDS按说是NMOS 的更低吧。。。

boyin757 · 发表于 2009-12-12 20:42:55

PMOS管导通电阻较NMOS管大，NMOS管的导通电压大

sunightms · 发表于 2009-12-12 21:47:27

充电MOS的源极一般接charger的正极，电压高，如果使用Nmos，必须保证栅极的电压高于源极才能导通，比较难实现，所以用Pmos

LINX · 发表于 2009-12-24 15:11:31

以下是引用hintman在2008-1-3 15:17:35的发言：
MOSFET在充电电路中都是用在High Side的通路控制，NMOS导通时需要门极驱动电平高于源极(S)，导通时D-S电位视为一致，如果用NMOS做通路控制，需要驱动电压高于输入电源电压(这样要求驱动电路内部有升压电路产生高于输入电源电压的供电给驱动电路)，如果用PMOS做通路控制，就没有这个问题，驱动起来更方便。
+1 RD币

这个应该是正解，学习了！[em01]

yujianshe · 发表于 2015-5-30 13:42:33

六楼是正解

xwq · 发表于 2015-6-1 09:12:39

六楼正解！

huangzenghua · 发表于 2015-6-3 16:32:18

回贴赚点外快！

493638519 · 发表于 2015-6-8 15:03:36

其实两种都是可以的，由于两种管子的特性，需要其中一端电位固定，PMOS放在供电端，NMOS放在地端，一般设计处于其他因素考虑，一般会放在供电端，这个主要是因为电池的地端需要与主板共地，单纯的对电池充电NMOS可以满足，如果需要共地，就只有使用PMOS了

dhs · 发表于 2015-6-8 15:17:15

六楼正解！

ipromise0019 · 发表于 2015-6-27 19:04:35

6l楼66666

robinsoncai1118 · 发表于 2015-6-27 19:18:02

zdbz 发表于 2007-12-28 14:31
这个主要是POMS和NMOS的制作工艺决定的
PMOS有一个很重要的优点，就是导通时候的低阻抗，这个对于要求过大 ...

对于相同的面积，NMOS的导通电阻比PMOS更低

xiaoheaixuexi · 发表于 2015-6-30 20:44:23

六楼正解！

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