DCDC会对EMC有影响吗？

mobilesun

DCDC不放在屏蔽框内会对EMC有影响吗？

criterion

wireless188 发表于 2006-2-17 21:02
关键是DCDC的电感振荡侧走线要走特别短，那一断的振荡和振幅特别强，特别小心。另外，DCDC输出的电源的底噪 ...

由下图可知  L1301是所谓的功率电感   用来稳定电流用的
换句话说  PMIC到L1301这段电源走线的电流
会非常不稳定(因为尚未经过L1301)   有很强的EMI干扰
因此确实要越短越好  最好是直接PMIC一出来
就直接接L1301



而L1301  要用有加 Shielding 的
可以防止EMI，同时也可避免与邻近金属耦合



另外  因为DC-DC Converter  多半是Switching Mode
亦即其电源走线   会有瞬时电流
所以DCDC输出的电源的底噪特别大
因此需要C1302来稳压   使瞬时电流都流到GND
所以L1301到C1302的电源走线   也是越短越好
避免瞬时电流透过其他路径耦合或乱窜   



要注意的是  也因为C1302是负责使瞬时电流都流到GND
所以其GND Pad  不可与其他IC的GND共地
也不可以跟其他IC的落地电容共地
否则瞬时电流会透过其共地
来干扰其他IC


至于DC-DC  是否会影响RF ?
肯定是有的
前述谈到  C1302的GND Pad  不可与其他IC的GND共地
也不可以跟其他IC的落地电容共地
这点对PA更是重要  

如上图
由于DC-DC Converter，会有切换噪声，所以若瞬时电流流入PA电源端，
则可能会在PA内部，与主频产生IMD(Inter Modulation)，
而因为切换噪声的频率，会离主频很远，即f1远小于f2，
因此其二阶的IMD，即IMD2，会紧邻在主频两旁，导致调制与开关频谱劣化，
假设切换频率为1.2MHz，则主频两旁正负1.2MHz的调制与开关频谱会因此变差。

而除了透过稳压电容  来使其瞬时电流  流到Main GND
亦可再串接电感或磁珠。由上图可知，以电感阻隔切换噪声后，
其主频两旁的IMD2明显变小，进而导致其调制与开关频谱有所改善。

其他详细原理  可参照

在此就不再赘述

bestdesign

实际测测，如果和天线防在不同一面上，应该不会。

mobilesun

<P>   现在我就是方在一个面上的，不过离射频比较远,DCDC工作频率在1M左右，</P><P>我想它不会影响射频吧！EMC不知道会不会有问题，担心中！</P>

bestdesign

加个罩呀。

理智

DC-DC不需要加屏蔽罩

johnny_zhao

<P>肯定会有影响, 不过只要干扰在可以接受的情况, 就不会有问题. 如果开关(芯片)到电感的距离很近就可以了. </P>

mobilesun

我现在是把DCDC放在屏蔽框外，离射频比较远，在基带那边，等板子出来测一下：）

rattlesnake

DC-DC 的频率较高，尽可能远离RF部分的电路，一般主芯片BB或者多媒体，Camera处理芯片的core and I/O需要大的电流，可以考虑用DC-DC以解决效率问题，重点是把RF或者BB部分的屏蔽做好，防止相互干扰；但是如果用在Camera sensor或者PA，RF部分，就不建议用DC-DC毕竟那是开关型的电源，有干扰影响你手机的性能，反而用LDO会比较安全，比较高PSRR让干扰降到极低；当然目前也有类似PMU的东西可以建议用，DC-DC+LDO,既解决效率问题，又解决干扰问题，何乐而不为？
送上相关资料，供参考：AAT2500,3*3mm Package[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

wireless188

<P>关键是DCDC的电感振荡侧走线要走特别短，那一断的振荡和振幅特别强，特别小心。另外，DCDC输出的电源的底噪别大，我们测试在800MHZ的频段可以到－60db左右，所以对射频干扰非常大。</P>[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

bestdesign

有结果吗？那个东西和一般降压DCDC不同。是升压的呀，且频率较高。需要小心。还有EL背光的。

superdww

<P>针对EMC来说对音频和接受会有影响，若以基带角度来说则噪声显得更为重要</P>

12506

DC-DC是不是开关电源直流转换器LDO是不是线性电源啊？俺可是初级R&D工程师啊？[em01]

russot

DC/DC的走线很关键，开关工作频率100K~2MHz左右，而谐波可达300MHz,近场干扰很厉害，应远离其它电路!