找回密码
 注册
搜索
查看: 931|回复: 0

[讨论] 给定偏置的MOS增益控制与|S21|的关系问题?

[复制链接]
发表于 2007-11-5 21:56:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
请教
突然想起一个简单的问题:对于一个给定的MOS管子,在确定的温度和电源偏置下(即TS,VDD,ID确定时),在管子的参数表中S21,NF,P1dB,IP3,OP3一般是确定的,对于|S21|是不是可以理解为最大增益确定了?我们通过匹配电路只能适当降低增益(因为匹配电路存在一定衰减)?
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies

本版积分规则

Archiver|手机版|小黑屋|52RD我爱研发网 ( 沪ICP备2022007804号-2 )

GMT+8, 2024-11-24 00:13 , Processed in 0.061141 second(s), 16 queries , Gzip On.

Powered by Discuz! X3.5

© 2001-2023 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表