|
|
发表于 2014-9-26 01:02:05
|
显示全部楼层
8. 调校PA的Load-pull :
由上图可知，不同的Load-pull，会有不同的谐波值。
以上图为例，谐波最低处， 是位于第四象限，
因此可以将PA的Load-pull，调校在第四象限，
但PA的Load-pull一但更动，其他发射端的性能也会跟着变动，
所以前述的落地电容，或低通滤波器，设计在PA输入端，道理在此，因为怕动到PA的Load-pull。
而若调校后的Load-pull，救了传导杂散，但其他测项Fail，那就得不偿失。
而50奥姆的发射端性能，虽不是最好，但在输出功率、谐波、耗电流……等表现上，大致上还可以接受，
所以一般都是调校在50奥姆。
因此若真要调校，顶多是使其更接近50奥姆，
除非万不得已，再来考虑是否要调校在谐波最低处，
同时要确认其他的发射测项，是否会因此Fail。
9. 换PA
如上图所示，一般PA的datasheet，会有谐波的量测值，
因此可以换个pin-to-pin，但谐波较小的PA，
但同第8点，如此一来，其他发射端的性能也会跟着变动，
等于Load-pull要重调，发射端测项要重新测试，
若新PA救了传导杂散，但其它测项Fail，那就得不偿失。
况且现今平台，多半已使用MMPA，如下图 :
亦即GSM/WCDMA/LTE的发射端性能，通通受影响，影响层面极大，
因此除非真的解不掉，再来考虑这步。
10. 电源方面
假设收发器或PA的电源，稳压不好，或有IR Drop，
或其电源走线载有高频噪声，都会使发射端性能劣化，
当然也包含传导杂散。因此可以先针对收发器跟PA，同时额外供电，
倘若问题依旧，那原因就不是出在电源，
若问题改善，那就看问题是出在PA的电源，还是收发器电源，
一般是出在PA电源居多。稳压方面的话，就加大其电容值，因为电容值越大，其ESR越小，稳压效果越好。
而高频噪声的话，则是看电源走线附近，有无高速讯号走线，或RF走线。
最常见到的情况是，Shielding Cover盖上去后，其传导杂散变大，
而这来自PA的机会较大，如下图 :
因为PA的能量本来就很大，加上体积较大，离Shielding Cover更近，
所以这表示PA耦合到Shielding Cover的能量同样很大，
若Shielding Cover接地良好，
原则上PA耦合到Shielding Cover的能量，会通通流到GND，
但若Shielding Cover与Shielding Frame的接触不够好，
那么PA耦合到Shielding Cover的能量，有一部分会反射，
若是打到PA电源，使PA电源上载有RF高频噪声，如下图 :
那么此时传导杂散就会劣化。
此时可以做实验，去验证是否PA输出讯号打到上述走线，如下图 :
记得要加DC Block，避免电源的直流讯号，回灌到CMU跟PA，
原则上这样的实验，其发射性能是一定会劣化，
但要观察是否为Shielding Cover盖上去后的现象，
倘若同样的现象完全复制出来，才可判定Root Cause是PA输出讯号打到电源走线，
例如Shielding Cover盖上去后，其传导杂散会Fail，但相位误差依然Pass，
而上述实验却是传导杂散跟相位误差都Fail，那就不能证明是PA输出讯号打到电源走线。
而若证明出来，确实是Shielding Cover盖上去后，PA输出讯号打到电源走线，
那么可透过加强Shielding Cover与Shielding Frame的接触，
以及加强Shielding Cover与Housing金属的接触，
使其耦合到Shielding Cover上的发射讯号，通通流到GND。
11. Layout方面
检查一下稳压电容跟bypass电容，是否离PA过远，
若离过远，那么即便加大稳压电容的值，
或是找出高频噪声的频率点，其稳压跟滤波的效果，也会不如预期，如下图 :
而稳压电容需直接下到Main GND，
便是避免已流到GND的瞬时电流，透过共同的GND，又再流入上述的IC中，
尤其是PA稳压电容，绝不能与其他IC的稳压电容表层一起共地，否则全都会受瞬时电流影响，如下图 :
前述说过, 可以先针对收发器跟PA，同时额外供电，去观察Root Cause是否来自电源,
而电源可能引起的问题, 除了前述的稳压不够, 高频噪声, 再来就是IR Drop，
可以在PA操作时，量一下电压，看跟预期的相差多少，
若相差太多，那就是Layout改版时，电源走线要短一点，线宽宽一点，
若是有穿层， 记得Via要多打，如下图 :
由上图可知，若Via打太少，等同于穿层时的线宽很细，这会使IR Drop变大，
因为Via有等效电阻, 所以Via打越多，等同于越多等效电阻并联,
而电阻是越并越小, 如此可有助于IR Drop的缓和。
12. 检查PA是否在架桥下
前述提到，
若作了第10点Coupler回灌PA输出的实验，但现象却与Shielding Cover盖上去的现象不一致，
那就不能证明是PA输出讯号，打到上述走线。
那么Shielding Cover盖上去后，其传导杂散劣化现象，
可能是来自于Shielding Cover与PA内部Bond Wire的寄生效应，尤其是Shielding Frame的架桥，
因为相较于Shielding Cover，其架桥的高度又更小，
当Shielding Cover盖上去后，会再更进一步压缩PA与架桥的距离。
倘若PA刚好在架桥下方，那寄生效应会很大，其PA的特性可能会有所改变，导致发射性能劣化，
因此倘若Shielding Cover盖上后, 其二阶谐波Fail, 可进一步观察其他Tx测项是否一并劣化.
如果是, 那表示问题是来自寄生效应，
那么就是Shielding Cover的高度，以及架桥的位置，要重新调整。
再不然就是PA上方的Shielding Cover，直接破孔开天窗。
所以Placement时，PA尽量不要在架桥跟Shielding Frame的屋檐下方，避免寄生效应。
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册
×
|
IP卡
狗仔卡
提升卡
置顶卡
沉默卡
喧嚣卡
变色卡
显身卡