[资料] PL2300GD SOT-23-3 N通道高密度壕沟MOSFET

发表于 2022-9-23 13:47:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

特征
●用于低RDS的超高密电池沟槽设计（开启）。
●坚固而可靠。
●表面安装软件包。 

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