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[资料] Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构

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发表于 2018-6-11 15:59:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构
Nand flash的内部组织结构,此处还是用图来解释,比较容易理解:
图2.Nand Flash物理存储单元的阵列组织结构

上图是AFND1G08U3的datasheet中的描述。
简单解释就是:
1.一个nand flash由很多个块(Block)组成,
块的大小一般是
-> 128KB,
-> 256KB,
-> 512KB
此处是128KB。
2.每个块里面又包含了很多页(page)。每个页的大小,
老的nand flash,页大小是256B,512B,
这类的nand flash被称作small block,。地址周期只有4个。
对于现在常见的nand flash多数是2KB,
被称作big block,对应的发读写命令地址,一共5个周期(cycle),
更新的nand flash是4KB,
块,也是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位。
3.每一个页,对应还有一块区域,叫做空闲区域(spare area)/冗余区域(redundant area),而Linux系统中,一般叫做OOB(Out Of Band),这个区域,是最初基于Nand Flash的硬件特性:数据在读写时候相对容易错误,所以为了保证数据的正确性,必须要有对应的检测和纠错机制,此机制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC(Error Code Correction,或者Error Checking and Correcting),所以设计了多余的区域,用于放置数据的校验值。
页, 是Nand Flash的写入操作的基本/最小的单位。
【Nand Flash数据存储单元的整体架构】
简单说就是,常见的nand flash,内部只有一个chip,每个chip只有一个plane。
而有些复杂的,容量更大的nand flash,内部有多个chip,每个chip有多个plane。这类的nand flash,往往也有更加高级的功能,比如Multi Plane Program和Interleave Page Program等。
高级模式
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