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[讨论] 普通的IC失效分析不能发现所有的ESD失效

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发表于 2016-6-16 20:25:26 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 Helf 于 2016-6-16 20:38 编辑

在实际的大量IC失效分析中,都会遇到有些IC明显有限管脚被击穿了,但经过拆封后,SEM并未发现有异常的症状。此时,不同IC分析工程师就会得出不同的结论。
客观很简单,IC失效已是事实,至于失效分析能否发现出异常,这就取决于失效分析的能力。

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发表于 2016-6-27 07:54:33 来自手机 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2016-6-28 12:18:55 | 显示全部楼层
国内的大部分电子制造工厂都有制造不良的问题,但能够将器件或产品制造过程中的不良分析清楚的,是少之又少;同时能够将ESD与EOS造成的不良分析出来的,更是稀少。而国内的电子器件失效机构,目前主要还是以外部电性测试与拆封后的光学检查为主,但是有些ESD/EOS造成的器件不良,他们并不能分析清楚,进而未能对电子制造工厂解决他们的ESD/EOS造成的不良提供有效的分析支持。
所以深层的意思,国内的电子制造业中很少有谈到ESD或EOS造成多少的制造不良问题,但美欧从1980年开始ESD造成电子器件损坏的案例不断曝出。这岂不是很奇怪的现象么?难道是国内的电子制造企业ESD/EOS控制得是那么的好?显然不是。如果没有有效的器件分析手段,很多电子器件的损坏包括ESD/EOS造成的,都是与其他类型的器件失效混在一起,无法辨识罢了。
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发表于 2017-8-15 16:04:19 | 显示全部楼层
楼主有什么好的分析方法吗?求教
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