傳統提升直流對直流(DC-DC)同步降壓轉換器的方法，包括透過低RDS(ON)裝置減少金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)的傳導耗損，以及透過低頻率運作降低切換耗損。然而，RDS(ON)逐漸提升會降低效益，低RDS(ON)裝置則有極大的寄生電容，而無法發揮提升功率密度所需的高頻率運作。
矽晶片及封裝技術的進展，使得封裝縮小的產品需要更高的效率和更多的電量，例如德州儀器(TI)的NexFET Power Block結合這兩種技術達到更高的效能，而所占空間只有離散式MOSFET的一半。本文將說明這些新技術，並重點解說其中的效能優勢。
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发表于 2011-11-7 19:51:07
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