MOSFET datasheet参数理解及其主要特性

simonlxh · 发表于 2007-10-26 01:09:32

【文件名】:071026@52RD_MOSFET datasheet参数理解及其主要特性.doc
【格　式】:doc
【大　小】:69K
【简　介】:
ID ：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额。
IDM ：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。
PD ：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。
VGS ：最大栅源电压。
Tj ：最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。
TSTG ：存储温度范围。
2 静态参数
V(BR)DSS ：漏源击穿电压。是指栅源电压 VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。

【目　录】:

heront · 发表于 2007-10-27 15:00:21

好东西啊！！
【文件名】:071027@52RD_华为硬件开发内部资料.pdf
【格　式】:pdf
【大　小】:906K
【简　介】:
【目　录】:

deepsleep · 发表于 2007-10-29 14:27:45

顶一下,谢谢!!!

yqcxx · 发表于 2007-10-30 10:05:15

谢谢heront兄

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