请高手解答下小弟对的SPK差分电路的疑点

Sxiny1021

1.差分电路上的那几个电容具体起什么作用？容值的取值大小的根据又是什么呢？
2.音频信号应该是交流信号，而这样在电路上串联电感岂不是抑制了信号
3.既然已经用了 TVS管进行ESD防护，还有必要再用尖端放电吗？
多谢大家给予解答！！
[upload=jpg]UploadFile/2007-9/07915@52RD_SPK.jpg[/upload]

utgarylee

电感与两边的电容组成PI形低通滤波器, 滤去高于音频频率的分量, 跨接于差分信号线两端的电容可以加强差分信号的耦合强度,实际上这个电容也成为PI形低通滤波器电容的一部分,此时存在虚拟地(在电容中间).  ESD器件只能对不太高的电压起作用, 对于高电压的强信号时应该采用尖端放电的保护方法.

xugt1983

分析的不错！学习！

Sxiny1021

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>utgarylee</I>在2007-9-15 15:34:14的发言：</B>
电感与两边的电容组成PI形低通滤波器, 滤去高于音频频率的分量, 跨接于差分信号线两端的电容可以加强差分信号的耦合强度,实际上这个电容也成为PI形低通滤波器电容的一部分,此时存在虚拟地(在电容中间).  ESD器件只能对不太高的电压起作用, 对于高电压的强信号时应该采用尖端放电的保护方法.</DIV>



受教了，谢谢

doubaobao

对于楼主的问题，我是这样看的：
这个电路中用的是磁珠（bead），不是电感。
这里用磁珠主要是为了抑止音频信号的EMI辐射，SPK的线圈会向天线一样把音频信号的高次谐波发射出去，从而对EMC性能以及RF的灵敏度产生影响。此外，TDMA noise （217Hz）对音频信号也会产生干扰，这颗bead还可以将形成TDMA noise的GSM 或DCS包络整个削弱下去，从而降低RF对音频的干扰。这颗bead与39pf/10pf组成的PI型滤波电路并主要是针对GSM/DCS 高频段的滤波；10pf针对DCS频段，39pf针对GSM频段，看看这两颗电容的谐振点落在哪里就很清楚了。它们并不是针对音频频段的滤波，这个PI型滤波电路对于20Hz－20KHz的信号并没有什么选频的意义。差分线上跨着的这个电容主要是为了提升共模抑止效果，抑止偏置电压的漂移。
一般情况，在前面的PA的输入端会做一些滤波处理，主要是利用RC高通电路，滤掉一些低频，因为从等响曲线上可以看到，500Hz以下的低频，只有在SPL很高的情况下才会贡献出微薄的响度，性价比不高，还会对SPK线圈有损伤，因此通常会滤掉。此外，D类功放的输出端是PWM信号，EMI辐射比较严重，理论上应该增加LC低通滤波电路（fc通常为30KHz）然后再驱动SPK，但是由于感值通常是几十个uH，成本上和体积上都不能接受，因此，往往直接驱动SPK。从SPK的频响曲线上可以得知，SPK本身就是一个带通滤波器，可以选择频率，但是由于PWM的很多高频分量都会流过SPK线圈，对于SPK可能也会存在不良影响。
此外，谈谈SPARK点。其实TVS的抗ESD效果是优于SPARK点的，两者都用当然是为了保险起见，毕竟二者消除ESD的机理是不一样的。

欢迎大家拍砖头。[em04]

lj2105

同意楼上观点

ttdepend

1.其实spk可以不加bead，没有什么用处，成本上也浪费，因为一般spk离天线远，只要ME注意距离就可以了。
2。39Fp应该是滤tdd 217HZ
3.这个电路可能想省钱，如果SPARK esd能过，就可以不贴tvs

xugt1983

防ESD的估计选用一个，效果和成本。

SteveHall

esd 保护器件是加在CPU直接引出线的裸露金手指或者连接器上。保护其IO口内部的MOS

但模拟器件其功率耐受度很高，不容易ESD击穿，可以不加TVS，SPARK PAD一点用处都没有。PA隔离了CPU GPIO，所以ESD问题根本不会出现

Bead,其负谐振抑制点落在了20~20K外，也根本起不了作用。

如果是Class-D,可以加个Inductor 与续流二极管（经典的DC/DC滤波方式），但普通手机喇叭本来效果就很差，越是差的喇叭，自然滤波效果越好。PWM包络经过Speaker的Coil,就“柔和”了