ＩＣ设计实现方法

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IC设计实现方法[http://www.dzsc.com]
IC从生产目的上可以分成为通用IC（如CPU，DRAM，接口芯片等）和ASIC(Application Specific Integreted Circuit)两种，ASIC是因应专门用途而生产的IC。
      从结构可以分成数字IC，模拟IC，数模混合IC三种，而SOC（system on chip）则成为发展的方向。
      从实现方式上讲可以分为三种。基于晶体管级，所有器件和互连版图都采用人工的称为全定制（full-custom）设计，这种方法比较适合于大批量生产的，要求集成度高、速度快、面积小、功耗低的通用型IC或是ASIC。基于门阵（Gate-Array）和标准单元（Standard-Cell）的半定制设计（Semi-custom）由于其成本低、周期短、芯片利用率低而适合于批量小、要求推出速度快的芯片 。基于IC生产厂家已经封装好的PLD（Programmable Logical Design）芯片的设计，因为其易用性、"可重写性"受到对集成电路工艺不太了解的系统集成用户的欢迎。他的最大特点就是只须懂得硬件描述语言就可以使用特殊EDA工具"写入"芯片功能。但PLD集成度低、速度慢、芯片利用率低的缺点使他只适合新产品的试制和小批量生产。近年来PLD中发展最活跃的当属FPGA(Field Programmable Gate Array)器件.
      从采用的工艺可以分成双极型(bipolar)，MOS和其他的特殊工艺。硅（Si）基半导体工艺中的双极型器件由于功耗大、集成度相对低，在近年随亚微米深亚微米工艺的的迅速发展，在速度上对MOS管已不具优势，因而很快被集成度高，功耗低、抗干扰能力强的MOS管所替代。MOS又可分为NMOS、PMOS和CMOS三种；其中CMOS工艺发展已经十分成熟，占据IC市场的绝大部分份额。AsGa器件因为其在高频领域（可以在0.35um下很轻松作到10GHz）如微波IC中的广泛应用，其特殊的工艺也得到了深入研究。而应用于视频采集领域的CCD传感器虽然也使用IC一样的平面工艺，但其实现和标准半导体工艺有很大不同。
      从设计方法可以分成自顶而下（top-down）和自底而上两种方法。top-down的设计方法
      在IC开发中,根据不同的项目要求，根据项目经费和可供利用的EDA工具和人力资源，根据代工厂的工艺实际，采用不同的实现方法是很重要的决策.
    （5）技术创新和紧跟潮流是IC公司良性循环的根本保证
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