为什么Nor flash的插除速度要远远慢于Nand flash

wyzcl · 发表于 2007-7-19 17:19:21

各位高手，想请教大家一个问题，为什么Nor flash的插除速度[52RD.com]
要远远慢于Nand flash，他们擦除都是以块为单位，擦除应该是[52RD.com]
并行的吧，从cell的组成来看都是浮动栅极、源极、漏级，只是它们[52RD.com]
的排列组织不一样，但是从擦除的角度而言应该时间不会差这么多。[52RD.com]
问题的根源是什么？
谢谢。

wyzcl · 发表于 2007-8-20 21:29:38

难道没人知道吗？？

yangxiupei · 发表于 2007-8-20 22:15:08

内部结构和擦除机理不同导致。
NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0,然后全部翻转为1。再加上由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

iversonma · 发表于 2007-8-20 23:51:53

再加上由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，
不至于这么长吧

park_dong · 发表于 2007-9-26 16:12:31

内部结构和擦除机理不同导致。
NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0,然后全部翻转为1。再加上由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距。
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