??关于PA最大发射功率测量的问题------请教

lijohnsbyp

??1、请教一下如何测量从PA（RF3166）芯片输出脚出来的最大功率，有什么好的测试方案，用什么仪器。如果能够知道PA芯片脚到射频口的损耗也是一样。有什么好的测试方案，用什么仪器。[52RD.com]

??2、一般PA厂家出贷标准（GSM，DCS）要求最大功率达到多少DB才算合格呢？[52RD.com]

??[52RD.com]

??谁有相关的经验共享一下，谢谢了！[52RD.com]

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vito

1,可以用厂家提供的评估板测，用功率计。
2，datasheet 上会有，RF3166的话，GSM34.2,DCS32.

zhangst2000

PA输出的SMA头接CMU，然用软件控制手机推最大功率即可。

22238143

楼上的是在整机上的功率，楼主说的是芯片的功率，不是一个概念

sam985111

摘掉PA,把SAM测试头一端损坏,直接焊在PA输出角,当然,地也得焊上,SMA头接CMU，然用软件控制手机推最大功率即可。

yilingbaby

一般datasheet会有写到.如果楼主想亲测,我想说下我的想法.
首先,对于最大输出功率这个概念,我想它无非是定义了PA在多大的时候会进入不可接受的非线形区(1db压缩点),同时,就算线形度还在接受范围内,但过大的功率导致发热过度,可能损坏器件.所以,实际中应从这两个方面来看PA最大输出功率.
测量,有PA的EVB板最好,直接把电源接好,用信号发生器打进PA input一个信号(频率选到实际用的),慢慢调大input强度,用频谱仪看输出,看什么时候失真到不可接受.这样做的思想是在Vcc一定,Vramp一定,gain一定的情况下,增大input从而得到逐渐变大的output.
同样的思想,可在固定input下,调节Vramp,也能得到变化的pa output.

lijohnsbyp

经过 yilingbaby这么一讲,我又想起了一个问题想请教大家,

   1、假如DCS的功率在29DB饱和了，正好饱和的DAC值是在560，这时候我把DAC的值调
到780，再看功率还是29DB。 现在我想问，PA的工作电压随着我的DAC值改变（MTK最高为2.8v）也升高了吗？ 如果是的话，那为什么我的功率仍然是在29DB，而工作电压会提高呢。
   2、如果像上面问题1，PA在560饱和以后，我再把DAC加大到780，而功率还是在29DB，这个时候的工作状态与之前DAC在560的时候有哪些区别。为什么会有这些区别？

高手们，共享一下你们的经验，谢谢！

海大指南针

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>lijohnsbyp</I>在2007-7-1 0:53:20的发言：</B>
经过 yilingbaby这么一讲,我又想起了一个问题想请教大家,

   1、假如DCS的功率在29DB饱和了，正好饱和的DAC值是在560，这时候我把DAC的值调
到780，再看功率还是29DB。 现在我想问，PA的工作电压随着我的DAC值改变（MTK最高为2.8v）也升高了吗？ 如果是的话，那为什么我的功率仍然是在29DB，而工作电压会提高呢。
   2、如果像上面问题1，PA在560饱和以后，我再把DAC加大到780，而功率还是在29DB，这个时候的工作状态与之前DAC在560的时候有哪些区别。为什么会有这些区别？

高手们，共享一下你们的经验，谢谢！
    </DIV>


下面的解释仅仅针对与RFMD的PA.
1. PA的最大输出功率可以从loadpull数据上面看出来。简单的理解就是，PA的功率是在特定的输出负载阻抗下面测试到的。Datasheet里面表明的一般都是在50 Ohm里面测试得到的。所有如果碰到这种情况，请检查：PA的输出阻抗，PA的输入功率是否太低，PA到天线开关的损耗是否太大。
2.过度增加PA Vramp容易让PA内部控制功率大小的FET饱和，从而导致出现功率控制环路有点失锁的情况。具体表现就是上升沿和下降沿不够平滑，switching spectrum出现问题。在RFMD 产品系列中，RF3166 ，RF3196 ，RF4080，都针对FET的饱和状态进行了实时监测，以便满足更好的switching spectrum性能。（3146没有。）RF3196 和4180另外增加了辐射模式下面的TRP稳定功能，保证良好的通话效果。
3.Vramp的最大值限制在datasheet里面有表明。关于Vramp和输出功率的关系请参考datasheet最后的几页。简单来说明：Vramp 决定了Vcc,Vcc决定了Vout,Vout的平方除以负载阻抗等于Pout。

lijohnsbyp

谢谢 海大指南针,你讲得好详细,谢谢你了