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[讨论] 请问26M晶振的内部电容,电感参数。

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发表于 2007-6-1 09:01:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
包括串连支路的L,R,C,并联支路的C0。
知道的前辈指导一下好吗?
或者能够给小弟一点各个厂家晶振的datasheet
例如NDK的,TOYOCOM的,MURATA的,KSS等。谢谢了!
发表于 2007-6-1 10:10:13 | 显示全部楼层
去他们的网站找吗。。。SPEC都OPEN的。。。。
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 楼主| 发表于 2007-6-1 11:14:49 | 显示全部楼层
SPEC里面一般都只有提到R1和CL(负载电容),而我要知道的C,L,C0(静电容)都没有的。
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 楼主| 发表于 2007-6-1 11:46:19 | 显示全部楼层
我想知道的是晶振的motional inductance L1,motional capacitance C1,motional resistance R1,parallel capacitance C0  in the equivalent electric circuit.
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发表于 2007-6-1 16:14:06 | 显示全部楼层
经过调查,C0在零点几个pF到几个pF左右,典型值为3pF。
C1在几个零点几个fF到几十个fF左右。二者均随着频率的升高而增大。

有不对的地方,请指正。
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发表于 2009-9-27 13:58:37 | 显示全部楼层
haodongxi
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