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[讨论] 高手指点:蓝牙测试载波频率漂移DH1不过

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发表于 2007-3-28 09:58:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
蓝牙有线测试,载波频率漂移DH1不过,测试结果-27khz.请问这需要调哪些参数呢?有线测试是把蓝牙天线部分断开,接上cable线。有没有谁有过这方面经验的?
发表于 2007-3-28 10:37:52 | 显示全部楼层
Freq shift is related to three factors:
a. PLL locking time;
b. charge pump
c. PA lineraity;

for a ;you should consider the loop filter and some SW driver paarmeter adjusting;
for b, you should calculating your VCO tank energe and some powersuppuly capacity;
for c, you should check the PA's performance;

and you still consider the PLL circuit working normally or not, does it exist the Grounding problem and interference problem;

hope it will provide some idea for your debug.
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 楼主| 发表于 2007-3-28 11:43:53 | 显示全部楼层
呵呵,多谢拉!
[em08]
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 楼主| 发表于 2007-3-30 14:47:58 | 显示全部楼层
问题已解决。将TCXO BUFFER的TCXO输入端的隔直电容由100PF改为180PF.[em08]
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发表于 2007-3-31 14:25:21 | 显示全部楼层
请教楼上的,为什么把100pf改为180pf就没问题了阿?
对于隔直来说,这两个值差别很大吗?
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发表于 2007-4-1 20:57:25 | 显示全部楼层
冒昧的问一句,原来DH1的drift rate到多少?不知是哪家的片子,貌似现在手机上BT chip用TCXO的不过了。
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 楼主| 发表于 2007-4-2 16:56:06 | 显示全部楼层
初步解释是:
此电容太小,会导致隔直效果不够,低频噪声较大从而影响TCXO的频稳度;电容太大(比如大于300pF),会导致BT无法建立连接(估计是因为TCXO幅度受到影响)。  
另外,当电容大到一定程度(比如1000pF)时,会造成GSM900/1800/UMTS2100等的调制特性乱掉(怀疑这是负载电容的影响)。
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 楼主| 发表于 2007-4-2 17:01:54 | 显示全部楼层
原来DH1:-27KHZ ;drift rate:-11.95KHZ/50us
用的是京瓷的芯片[em01]
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发表于 2007-4-3 00:26:36 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>dij</I>在2007-4-2 17:01:54的发言:</B>
原来DH1:-27KHZ ;drift rate:-11.95KHZ/50us
用的是京瓷的芯片[em01]</DIV>


是用的系统26M TCXO? Kyocera没有自己的BT chip,他是做module的,是不是FC01UAX这个module?
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 楼主| 发表于 2007-4-3 10:43:20 | 显示全部楼层
tcxo时钟是19.2Mhz
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发表于 2007-4-3 23:55:52 | 显示全部楼层
大哥就你这水平还做3G,电容越小,隔直越好,电容越大,就相当于短路了(电容串联)
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发表于 2007-4-4 10:45:37 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>youyongnju</I>在2007-4-3 23:55:52的发言:</B>
大哥就你这水平还做3G,电容越小,隔直越好,电容越大,就相当于短路了(电容串联)</DIV>


......
[em07]
In my opinion, the reason may be as follows:
1: Too small TCXO output capacitor results less drivering capability/amplitude of clock, and causes reference more astable and SNR decrease.
2: Too large TCXO output capacitor results dramatic pulling effect and cause frequency deviation large
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发表于 2007-4-4 15:02:48 | 显示全部楼层
[QUOTE][/QUOTE]以下是引用youyongnju在2007-4-3 23:55:52的发言:
大哥就你这水平还做3G,电容越小,隔直越好,电容越大,就相当于短路了(电容串联)



......

In my opinion, the reason may be as follows:
1: Too small TCXO output capacitor results less drivering capability/amplitude of clock, and causes reference more astable and SNR decrease.
2: Too large TCXO output capacitor results dramatic pulling effect and cause frequency deviation large


你的解释这更说明了那个电容不是隔直的呀
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 楼主| 发表于 2007-4-5 16:44:45 | 显示全部楼层
<DIV class=quote><B>以下是引用<I>youyongnju</I>在2007-4-3 23:55:52的发言:</B>
大哥就你这水平还做3G,电容越小,隔直越好,电容越大,就相当于短路了(电容串联)</DIV>

首先声明几点:
1,我不是大哥,请注意性别。
2,本人是做基带的,对射频不是很在行,所以才发贴请教。此结果是请教做射频的人士。
3,如果那位大虾比较有经验,请不吝赐教,但不要人身攻击!
[em04]
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