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[讨论] IC中晶振的使用!

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发表于 2007-2-7 09:48:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
我想问一个简单的问题,在IC的使用中晶振是用基频并联型,还是用基频串联型是有什么决定的?使用的电容的容值有什么不一样?理论依据是什么?
发表于 2007-2-7 20:44:57 | 显示全部楼层
见的最多的就是并联两个电容的,并联的电容的值应该是IC和晶振和需求的频率波形等共同决定出来的,我曾经用可调电容代替过并联的两个电容,在改变电容大小的时候,观察波形频率基本上是没什么变化,变化的最多是幅值和波形失真,但是一定范围的变化,不影响系统正常运行,所以个人感觉应该是整形和条幅度相干的吧~
高手说呢?
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发表于 2007-2-8 17:18:24 | 显示全部楼层
大家都来关注下吧
我也想知道。电容的值是怎么确定的?[em13]
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发表于 2007-2-9 22:37:32 | 显示全部楼层
并联式经验公式: CL=(C1*C2)/(C1+C2)-C0‘
C0'=C0+C0''
其中CL/C0在晶体的spec中可以找到,C0"在比较正规的芯片的spec里面能够找到,
C1/C2就是并联在晶体两端的电容值。

经验公式,仅供参考。
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发表于 2007-2-27 21:20:44 | 显示全部楼层
与内部的RLC电路有关[em07]
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发表于 2007-2-28 08:58:50 | 显示全部楼层
同意2楼的,我们这里很多电路都把晶振spec要求的并联电容改为一个电容,没有因为这个出现什么问题
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