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[讨论] 最近一直困惑的一个电路图

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发表于 2007-1-20 21:46:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
[upload=jpg]UploadFile/2007-1/07120@52RD_3282_GSM.jpg[/upload]

改图是一个常见的著名RF放大器中一部分,我思考现在有几个问题:
1:为什么也设定一个FGND Pad? 它的作用是什么?
2:三极管的B-C相连,不就是起到一个二极管的作用,为什么不直接用二极管呢?
3:高频信号输入RFIN端,电容对于高频而言是短路,输入信号不就直接进入FGND了吗?
谢谢先!

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 楼主| 发表于 2007-1-20 21:46:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
[upload=jpg]UploadFile/2007-1/07120@52RD_3282_GSM.jpg[/upload]

改图是一个常见的著名RF放大器中一部分,我思考现在有几个问题:
1:为什么也设定一个FGND Pad? 它的作用是什么?
2:三极管的B-C相连,不就是起到一个二极管的作用,为什么不直接用二极管呢?
3:高频信号输入RFIN端,电容对于高频而言是短路,输入信号不就直接进入FGND了吗?
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发表于 2007-1-21 09:38:47 | 显示全部楼层
这是什么电路?
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发表于 2007-1-22 13:43:52 | 显示全部楼层
這電路是....可以提供更多的資料嗎?
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发表于 2007-1-22 15:54:37 | 显示全部楼层
我想该图是你弄错了,应该是差分输入,下面的不是接地应该是RFin-,这样那个输入的电容就好解释了。请贴上原图,不然会有太多误会![br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2007-1-22 23:08:58 | 显示全部楼层
应该是差分输入电路,上面的电容应该高频电容[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2007-1-23 10:01:35 | 显示全部楼层
我来回答一下(个人意见):
1。  从电磁抗干扰原理讲,各系统地应该是独立的,最后做到一点接地,因此FGND可通过最后的键合达到一点接地的目的。
2。 三极管的B-C相连设计作用就是二极管,这样做主要是从半导体工艺考虑的,在微电子中,做一个三极管比做一个二极管简单,主要是因为一类三极管(如p管或n管,功率管除外)可用同一工序完成,如单独做一个二极管,就需要增加工序,成本就上去了。因此,在半导体元件的制作中,一般都是通过这种方式来实现二极管的。
3。1uF的电容应该是电解电容,对高频来讲,电解电容的容抗是很大的,主要是由于电解电容的制作都是卷状的,具有一定的感抗,在高频状态下,容抗是小了,但是感抗大了,信号同样不会到地的。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2007-1-23 10:19:20 | 显示全部楼层
RE:everset

关于第1,3点,在RF放大器的设计上,我保留自己的看法。

同意你的第2点说法,但是如果是这样的话这个电路的功能是什么?RF信号和地之间反向并联二极管,是检波用还是混频用?
不吝赐教![br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2007-1-24 13:34:49 | 显示全部楼层
输入端并联的两个二极管,我认为应该是做端口保护用的。RF输入端一般都要做保护的,否则容易被静电打坏。
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发表于 2007-1-24 16:03:47 | 显示全部楼层
有道理
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发表于 2007-1-21 09:38:47 | 显示全部楼层
这是什么电路?
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這電路是....可以提供更多的資料嗎?
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发表于 2007-1-22 15:54:37 | 显示全部楼层
我想该图是你弄错了,应该是差分输入,下面的不是接地应该是RFin-,这样那个输入的电容就好解释了。请贴上原图,不然会有太多误会![br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2007-1-22 23:08:58 | 显示全部楼层
应该是差分输入电路,上面的电容应该高频电容[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2007-1-23 10:01:35 | 显示全部楼层
我来回答一下(个人意见):
1。  从电磁抗干扰原理讲,各系统地应该是独立的,最后做到一点接地,因此FGND可通过最后的键合达到一点接地的目的。
2。 三极管的B-C相连设计作用就是二极管,这样做主要是从半导体工艺考虑的,在微电子中,做一个三极管比做一个二极管简单,主要是因为一类三极管(如p管或n管,功率管除外)可用同一工序完成,如单独做一个二极管,就需要增加工序,成本就上去了。因此,在半导体元件的制作中,一般都是通过这种方式来实现二极管的。
3。1uF的电容应该是电解电容,对高频来讲,电解电容的容抗是很大的,主要是由于电解电容的制作都是卷状的,具有一定的感抗,在高频状态下,容抗是小了,但是感抗大了,信号同样不会到地的。[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2007-1-23 10:19:20 | 显示全部楼层
RE:everset

关于第1,3点,在RF放大器的设计上,我保留自己的看法。

同意你的第2点说法,但是如果是这样的话这个电路的功能是什么?RF信号和地之间反向并联二极管,是检波用还是混频用?
不吝赐教![br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>
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发表于 2007-1-24 13:34:49 | 显示全部楼层
输入端并联的两个二极管,我认为应该是做端口保护用的。RF输入端一般都要做保护的,否则容易被静电打坏。
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发表于 2007-1-24 16:03:47 | 显示全部楼层
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