请教一个及出问题，关于三极管的饱和和放大条件

5isex

bjt是电流型器件，因此个人认为电流是起决定作用的，电压只是反映工作状态的标志 [em01][em14]

tjcx

??[upload=jpg]UploadFile/2007-4/07428@52RD_bjtdc.JPG[/upload]

我用ADS做了个BJT直流仿真，模型用的是device-BJT里的AgilentHBT,可以看出在VB=1.506V时，Ic达到饱和，Ib突然增大，直流电流增益从99.2减小到79.1。同时，Vbc=1.506-0.684=0.822V。因此这里可以作为管子深度饱和的一个典型观测点。至于临界饱和点应该是Vb=Vc=1.460V，电流增益为96.6。
在饱和的同时，集电极和基极的电流都会出现不连续的变化，也许的确要用集电结和基极的半导体特性才能分析清楚。[br]<p align=right><font color=red>+5 RD币</font></p>

james_zhang

以NPN为例:
首先,谈谈截至: Ube<Uon时,而且b-c结反偏(Ub<Uc)
当Ube>Uon, b-e结正偏, 且b-c结反偏(Ub<Uc), 放大
当b-e正偏,而b-c正偏(Ub>Uc), 饱和, 把Ub=Uc叫临界饱和电压,也就是Ubc=0.

cylbailey

是collector电压控制的.
  看来很多人都不理解bipolar的工作原理, 以npn三极管为例,一个电子从Emitter出发, 由于BE结的正偏到达B极,但是由于B极很薄,而BC结由于反偏,形成一个结电容, 绝大多数到B极的电子被Sweep到C极去了,从这点来讲,处于正常放大状态的BC结处于一个punch through(穿通)的状态.
  而当C极电压下降到比B极电压还小, BC结正偏之后, 所有从E极流向B极的电子由于无法再被sweep到C极, 于是就"被迫"从狭窄的B极流走, 从C极流到B极的电子也一样.这时候就相当于两个正偏的PN结[br]<p align=right><font color=red>+3 RD币</font></p>

z_xiaojun

最好是自己搭几个三极管方面的驱动电路研究研究,然后再去理解书上讲的,估计你会体会到很多吧

muyu0786

根据NPN的特性曲线
1、VCE一定的情况下，由0增大IB，NPN逐渐由放大区进入饱和区。
  原因为：IB的增大以增大VBE为手段，而VBE的增大必定减小VCB，直到VCB为0是，处于饱和的临界状态，VBE再增大，就会使两PN结都正偏。
2、IB一定情况下，由0增大VCE会使NPN由饱和区进入放大区
  原因为：饱和区情况下，IB近似等于IE电流，于是IB一定近似可以认为VBE一定，在此情况增大VCE就等于增大VCB，随着VCB增大，BC结进入反偏也就是NPN进入放大区。

愚见，不对望指教

xugt1983

三极管输出特性曲线应该只是反映一个数据指标，不是时间先后的问题吧？请高人指教！

X-dream

我不同意cylbailey说的 当BC结正偏之后, 所有从E极流向B极的电子由于无法再被sweep到C极, 于是就"被迫"从狭窄的B极流走, 从C极流到B极的电子也一样.
在BC正偏时,只要C的电压大于E的电压,E级流向B极的电子还是有一部分被SWEEP到C极的.当然E级也会有一部分电子流向B级,但因为C的电压大于E的电压,E级到B级的电子比C级到B级的更多,最后两边的电子经过抵消后还会有一部分电子从B级再被SWEEP到C级.而不会被迫"从狭窄的B极流走,这样就把满足能量守衡了,而且一般一个三极管正偏时也不能看成是两个正偏的PN结.因为基区很薄,电子很容易从E级到C级,如果三极管正偏时可以看成是两个正偏的PN结,那基区就的加宽,那样的话的放大倍数就做不大了

X-dream

刚才说错了,应该是不满足能量守衡了

cylbailey

【文件名】:071013@52RD_NPN princple.pdf
【格　式】:pdf
【大　小】:687K
【简　介】:自己摘录的描述NPN工作原理较好的部分
【目　录】:

zhujb1999

从你的问题当中能够看出来你对于三极管并不是十分了解，里面很多逻辑关系你还没有搞清楚。
建议认真阅读一下书记，理顺三极管工作的原理，然后再回头看一下你现在的问题，你现在的问题是把很多有联系的东西都分割开来理解，并没有将其联系在一起。

liyfeng1982

一点不成熟的见解:和实际使用结合在一起的话应该很容易理解
三极管:
当使用放大电路追求放大倍数的的时候当然是采取共射极放大电路,当然根据C极收集电子的能力而言,放大并不是无止限的,基本上都会在基极电路采取限制,以避免进入放大区.

当使用三极管的开关特性的时候,自然选择在饱和区,那当然在电子线路设计方面要采用饱和线路的设计方式,注意这个时候,因为电路设计的限制作用,自然不会经过放大区进入饱和区,这样后面的IC电路就完蛋了.

还有共基极(高频中使用),共集电极(输出缓冲),这样只能说是他们在理论上具有这样功能的选择性,但是在实际使用中还要考虑很多因素,通常都会把他们和一些EMI/EMC,保护电路一起使用.

总之,不管NPN或者PNP,放大功能就一定要放射极送出电子,集电极收集电子,连接方法根据PN结的特性就非常明显了.使用开关功能,就很简单了,其实就是三极管的二极管化使用,自然不在需要发射极的电子供应.这个时候基本上在实际使用中把E极接地且BE见因为存在极间电容会串联电阻进行设计.

这些实际使用当然都是根据上面大家精辟见解(内部载流子的活动)实现的.

MOS管因为和三极管的电气特性不同,当然在定义方面有所不同,但在使用原理上有很大相似点.