请教: LDO的EN脚的处理

3homer · 发表于 2006-10-20 09:20:00

请教: LDO的EN脚的处理

有的LDO会有EN或者CE脚,就是使能引脚,而且一般都是Active:High, 所以一般来说都是和输入Vin连接, 但是我看到有的设计是通过100K-Ohm来接地,这样的设计合理么?

sliveryx · 发表于 2006-10-24 18:01:00

这样比较合理, 避免瞬间启动的时候发生的不确定状况

zqyy · 发表于 2006-11-2 16:14:00

这个瞬间启动没有关系，是为了在RESET状态下和在关掉LDO的状态下，防止LDO外部电压反灌，从而拉高了EN脚的电平，使其处于我们不愿意其达到的电平。从而造成不必要的LDO开启。

johnson1979 · 发表于 2007-3-16 16:26:00

这个100K的电阻是为了在高电平撤消掉后放掉内部MOS栅极的电荷，防止高电平撤消后电路仍处于使能状态

mazysun · 发表于 2007-4-14 11:13:00

受教了，谢谢！！！

luvkyhj · 发表于 2007-4-16 11:17:00

我们是台湾光宝的全线路代理韩国HTC的LDO 芯片代理,有需要请联系LUVKYHJ@HOTMAIL.COM

expertwu · 发表于 2007-4-18 12:16:00

说白了就是一个下拉电阻.除了以上各位说的特点外,它还有一个作用,降低漏电流.

xuthus · 发表于 2007-4-18 17:19:00

这个应该与降低漏电流没关系，应该是在输入电压去掉后，LDO的EN状态稳定。[em04]

siyuanren · 发表于 2007-4-20 09:55:00

设计合理，
有些LDO内部就有下拉电阻设计。

billychen · 发表于 2007-5-9 10:29:00

EN的内部一般都有恒流处理，所以用100K太大了，如果在很低的输入电压时，没有办法保证EN的电流。
在单节锂电池的输入电压形式中，加100到1K就可以了

qikeelec · 发表于 2007-6-1 18:45:00

深圳祺科电子专业销售电源管理IC,包括:DC-DC升压芯片、DC-DC降压芯片、LDO稳压芯片、电压检测芯片及低功耗MOS管等。大量现货热销:XC6201、XC6203、XC6204、XC6206、XC6209、XC6210、XC6214、XC6219、XC6411、XC61C、XP151、XP152、RT9193、RT9167、RT9182、RT9161、RT9808、RT9284、RT9266、HT70XX、HT75XX等，欢迎来电咨询。

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tuoluo1980 · 发表于 2007-7-24 11:28:00

受教了

zhaoshuo · 发表于 2007-7-24 15:02:00

明白了！

jssyzjz · 发表于 2007-7-28 00:06:00

２楼的说法比较准确，这里不存在倒灌和放掉内部MOS栅极的电荷说法有误

kinder121 · 发表于 2007-7-31 23:57:00

那个阻值的选择还是要关注一下手册给的参考值的，有得确实是需要100K的，具体问题具体分析。

buick9323 · 发表于 2007-10-8 19:09:00

但是还有部分公司的设计是：EN脚和VIN之间接一个100K，也就是上拉电阻。同时，VIN对地接1UF电容。

请教这是什么原因？？

谢谢！

cylbailey · 发表于 2007-10-9 19:20:00

<DIV class=quote><B>以下是引用<I>buick9323</I>在2007-10-8 19:09:00的发言：</B>
但是还有部分公司的设计是：EN脚和VIN之间接一个100K，也就是上拉电阻。同时，VIN对地接1UF电容。

请教这是什么原因？？

谢谢！</DIV>

因为有的是低电压使能啊

wy5580668 · 发表于 2007-10-10 15:22:00

[em08][em08][em08][em08][em08][em08]

pengzilong · 发表于 2007-10-27 13:13:00

我想问一下,我们用的是EN脚通过1M电阻接地,合理吗?
[em13]

zhjb926 · 发表于 2007-10-30 21:57:00

那个电阻确实有防止EN瞬间拉高的作用
至于倒灌不太清楚

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