6~18G6位移相器，向大家请教些问题。

areng

这次做的移相器，是用0.2um的GaAs工艺实现的，由于本人没有做过集成电路，所以在此向大家请教些问题：
1，工艺参数，由于还没有签定合成，没有拿到工艺参数，所以相请问一下，没有工艺参数的前提下，是不是只能进行原理图仿真？我用了某种CMOS参数建的模，虽然有design-kit包，但只能导入原理图模型，不能建立版图模型，请问如何建立？大家不要笑我，我只在微带基片上设计过一些东西，但没做过集成的，其中的工艺流程我一点不熟悉。
2、电路拓朴图是这样的，5.625和11.25、22.5和45度分别做在两个电路中，比如5.625/11.25的在控制电压不同时，一个电路可以实现5.625、11.25、16.875三种相位。我们用56、22、90、180分别表示这四个单元电路，其中56、22用同一种电路模型：一个3dB的LANG耦合器加四个FET开关。FET管子组成两组，设加两种电压，对应导通和截止状态，对于这种电路，LANG耦合器的带线宽度和缝隙宽度分别只有6~8个um，请问实现有没有困难？90度的用了一个LANG耦合器和两个FET开关，由于FET的截止电容的存在，我在其D端串接一个电容，仿真时电容只有几十个fF，这个电容在集成电路中用什么实现？

sanshi

高手，这么宽的频带，我现在还在用PIN 二极管做移相器呢！哎