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[资料] NP3415EVR-G SOT-23 20V P通道增强模式MOSFET

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发表于 2022-11-17 14:04:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
概述
NP3415EVR采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和栅电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

一般特征
VDS=-20V,ID=-4A
RDS(ON)(Typ.)=46mΩ @VGS=-2.5V
RDS(ON)(Typ.)=38mΩ @VGS=-4.5V
高功率和电流处理能力
无铅产品获得
表面安装包
ESD等级: 2500V HBM

应用
PWM应用程序的
负载开关

封装
 SOT-23

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