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[资料] NP2302FVR-J-G SOT-23 20V N通道增强模式MOSFET

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发表于 2022-11-17 13:46:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
概述
NP2302FVR-J采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度电池的超低电阻设计。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

一般特征
VDS=20V,ID=2A
RDS(ON)(Typ.)=50mΩ @VGS=4.5V
RDS(ON)(Typ.)=68mΩ @VGS=2.5V
高功率和电流处理能力
无铅产品获得
表面安装包

应用
PWM应用程序的
负载开关

封装
 SOT-23

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