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NOR和NANDFlash资料汇编

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发表于 2006-7-19 17:11:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本人为了搞清楚nor/nand flash的应用翻阅很多网站查找资料集合而成,对于了解手机存储介质有很大的帮助。只收2币,想要交换我需要的资料,谢谢!

【文件名】:06719@52RD_NOR和NANDFlash详解资料汇编.doc
【格 式】:doc
【大 小】:77K
【简 介】:对nor/nand flash的技术、应用、生产、厂家等介绍
【目 录】:
闪存(Flash)”这一名称,是源于该存储器件只需单步操作即能擦除其中所有内容的能力。军用装备很早就从这一能力中获益,军用装备都包含机密信息,一旦即将落入敌手,就应该迅速予以破坏。与EEPROM类似,Flash的数据存储也是通过向其晶体管栅区存入电荷来实现。电荷在栅上的存储是通过注入一定量的电荷、让其穿过绝缘氧化层来实现的。

闪存器通常为两种类型:NAND和NOR型。NAND器件中晶体管的连接结构类似于一个NAND门,而NOR器件的晶体管连接结构则类似于NOR门(参见图1a和b)。下面对其进行比较:

图1a NOR闪存器




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发表于 2006-7-20 09:54:00 | 显示全部楼层
资料还可以,可以参考一下。
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发表于 2006-8-4 18:24:00 | 显示全部楼层
买了,看了,不值这么多钱
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