TDD PA EVM很差的原因

patriot

Hi，all，
  现在有一个TDD PA，B39， 三级，TDD标准测试EVM很差，如下图：
主要是ref signal和PCFICH的很差。用FDD模式测试，EVM很好，排除了PA本身的线性问题。 现在怀疑是时序问题。
原理图如下：
测试了enable信号和driver电源（PMOS开关输出端）的波形，下降沿有比较大的延迟，达到了50us。而上升沿的延迟很小，只有1us左右。
请问，是什么原因呢，从EVM结果看，像是上升沿的问题。但是实测的driver供电上升沿延迟还行。

njupter

不知道老兄是什么平台上项目测试的？MTK么？小弟只做过MTK的项目，特地去查了一下PCFICH是什么意思，有点理解想分享一下。在MTK平台上，一般的规则是PA打开TPC打开再TXM打开，而这些时间都是相对于数据提前打开的，所以可以看到DRIVER上升沿没什么问题，但是若这个时间的提前量过长，那么相应下降沿也会延后，也许可能会造成这个EVM的问题。

patriot

njupter 发表于 2018-3-30 15:19
不知道老兄是什么平台上项目测试的？MTK么？小弟只做过MTK的项目，特地去查了一下PCFICH是什么意思，有点理 ...

老兄，谢谢你的回复。 是smallcell上的。我们测了别人的EVM正常的，driver供电延迟也有0.5us左右。我们的延迟在0.5uS~1us之间。理论上不会因为延迟导致EVM恶化。
即使把choke电感后的滤波电容去掉，稍微能改善，仍然有问题。我把PMOS短路掉，EVM是OK的。
PCFICH和ref signal都是第一个symbol， 看起来像是上升沿出了问题。有点费解啊

yuzhouyouling

楼主用的是手持测试设备么？chock电感后的滤波电容加大下有没有效果呢？

l_xinhai

njupter 发表于 2018-3-30 15:19
不知道老兄是什么平台上项目测试的？MTK么？小弟只做过MTK的项目，特地去查了一下PCFICH是什么意思，有点理 ...

你好，想必前辈也是做PA的。想请教个问题，造成PA的Dynamic EVM和static EVM差别很大（如下图）的原因一般有哪些？在设计中可有方法避免这种差距。

mich_lcm

会不会是电源的问题？天下BUG出电源，电源是头等大事。

l_xinhai

mich_lcm 发表于 2018-12-12 18:17
会不会是电源的问题？天下BUG出电源，电源是头等大事。

电源确定过没有问题的，应该是自身设计，因为同平台测试S公司的很好，所以想请教如何cover这个问题。

mlz

这个问题最终原因是什么？