高通RF技术期刊问题

bwz995930318

大家好，最近在高通RF技术期刊上看到一个问题，不太理解，烦请各位大神点拨一二。
具体为：某项目在CPU与transceiver之间的四条TX IQ线上都并了四条150pF电容到地，导致LTE relative power control fail（20M带宽），
             且测量LTE某band发现频谱发射模板（spectrum emission mask）在20M带宽时，中间的载波发射频率离中心频点越远衰减越多，
             使频谱形成一个中间高两边低的三角形，NC掉这四颗电容就好了，相关细节在图片中有显示。高通的解释为150pF电容有低通效
             应，所以会导致这些问题。
             现在就不太理解这句话，
             首先，为什么150pF电容会是低通，常规理解电容对RF信号一般都是带通，我查了一下村田150pF电容的
             频率响应，也是一个谐振点在800M左右的一个带通效果；
             其次，为什么有低通效应之后，在发射频谱上会呈现一个如此两端衰减形状的图形。

wonders

150pF都算是大电容了？

电容大不大是相对于输入输出阻抗而言的，另外对于最高10M频率来说，150pF也不是一个可以忽略的值

wjf430

兄台胆子略大啊，高通文档上不是写的保密么[em10]

wjf430

我一直想问的一个问题，村田的电容器频响是怎么查到的？是规格书么？
求教

criterion

因为150pF电容的自我谐振频率为847 MHz，
换言之，在847 MHz之前，150 pF的落地电容，就是一个低通滤波器。
而且IQ讯号在Mixer之前   尚未升频
所以讯号频率一定是基频范围






而每种带宽，其I/Q讯号的频率范围如下:




因此，有可能150 pF的落地电容，
对于频率范围在5 kHz ~ 4.5 MHz的I/Q讯号，其Loss不大，所以5 MHz跟10 MHz讯号带宽的功率测试可以Pass。
但对于频率范围在超过4.5 MHz的I/Q讯号，其Loss已大到足以对讯号有所损害，所以讯号带宽20 MHz的功率测试Fail

babylixpig

criterion 发表于 2018-4-23 14:25
因為150pF電容的自我諧振頻率為847 MHz，
換言之，在847 MHz之前，150 pF的落地電容，就是一個低通濾波器 ...

C大请教一下Q家的各种带宽下的IQ频率在哪份文档号可以查询到？

RFSwords

criterion 发表于 2018-4-23 14:25
因為150pF電容的自我諧振頻率為847 MHz，
換言之，在847 MHz之前，150 pF的落地電容，就是一個低通濾波器 ...

请问C神，那张频响图是S21-Fre的特性吧？

eminem

C神就是“一拳超人”！

fyu007

babylixpig 发表于 2018-4-23 17:41
C大请教一下Q家的各种带宽下的IQ频率在哪份文档号可以查询到？

大部分WTR 的device spec  都有写这个。

bwz995930318

criterion 发表于 2018-4-23 14:25
因为150pF电容的自我谐振频率为847 MHz，
换言之，在847 MHz之前，150 pF的落地电容，就是一个低通滤波器 ...

感谢criterion大神，常看您的帖子和回复。