急招_RF Power LDMOS & GaN Hemt设计工程师（北京）

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RF Power LDMOS & GaN Hemt设计工程师（北京）

        岗位职责：
1.        半导体器件结构设计、模拟仿真和版图设计；
2.        半导体器件工艺流程设计、模拟仿真；
3.        半导体器件测试、分析；
4.        微波封装建模、仿真，射频功放管内匹配设计。

        任职要求（部分匹配即可）：
1.        硕士及以上学历， GaN、Si LDMOS等射频功率器件相关经历；
2.        熟悉半导体器件物理，熟悉微波工程相关知识；
3.        熟悉半导体制造工艺及其工艺流程的整合；
4.        掌握半导体器件模拟软件，如Sentaurus, Silvaco等TCAD工具；
5.        熟悉射频功率放大器内匹配设计，熟悉射频电路仿真软件，如HFSS、 Momentum等；
6.        掌握版图设计软件；
7.        优秀的交流能力、团队合作精神和技术文档撰写能力；
8.        英语六级，良好的英文阅读及书写能力。

简历请发：hr_bj@silergycorp.com，标题注明来自52RD。

公司简介：
矽力杰股份有限公司（股票代码：TWSE6415）成立于2008年2月，总部位于美国硅谷Sunnyvale，目前设有包括杭州、南京、西安、上海、厦门、北京、成都、台湾、印度等研发中心，销售中心遍布全球，包括美国、英国、日本、韩国、大陆地区广泛分布于华南、华东、华北各地。
矽力杰一直致力于高功率密度高效率电源芯片的研发，产品广泛应用于消费电子、通讯电子类设备、计算机等领域。目前公司采用业内主流的FABLESS营运方式，通过自主设计、委托生产的方式进行产品生产，通过自有销售渠道或者代理商销售的方式进行市场推广，并为客户提供相关产品应用和设计技术服务。
公司重视专利创新，涵盖生产工艺、功率器件、电源拓补、电子电力设计、低功耗控制等各方面，目前已申请中国大陆、台湾、美国、韩国发明专利1084项，其中已获得授权国内外发明专利近732项 。
公司创立者和主要技术人员长期从事半导体及电力电子行业，具有优秀的行业背景和丰富的工作经验，管理团队行业经验超过200年。从2008年2月成立至今，公司已发展到员工640余人，其中博士和硕士占比52%.