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[讨论] 关于静电的问题

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发表于 2006-6-15 12:47:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
请问大家一个问题:[52RD.com]
静电会不会使例如 24C16 一类的E2PROM 中存储的数据出现丢失或者错乱的现象呢?[52RD.com]
但是出现数据错乱的存储块还是好的,没有损坏.[52RD.com]
在工厂的生产中常常出现一些存储器中的数据出错,使人恼火~~~~~~~~~[52RD.com]
发表于 2006-6-15 15:59:00 | 显示全部楼层
应该说可能的,mos电路本身抗静电能力比双极差.但你说的现象可能与电路本身的缺陷有关,特别是存储数据丢失或错乱[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
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发表于 2006-6-20 23:06:00 | 显示全部楼层
EEPROM 单元存储的数据只于紫外线照射有关或者与单元工作时关键节点的电压有关。
静电是不会破坏EEPROM单元存储的数据。
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发表于 2006-6-21 00:25:00 | 显示全部楼层
<P>不同意楼上观点.</P>
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发表于 2006-6-21 15:10:00 | 显示全部楼层
<P>现在所有的芯片都设计有ESD保护电路,ESD保护成为集成电路设计必有的一环,而且ESD保护电路在芯片的PIN脚和电源地附近。所以对芯片进行ESD测试时根本不会伤及芯片内部,即使芯片被电坏了,也是PIN脚或电源地附近的ESD保护电路被损坏,不会波及芯片内部。因此,ESD损伤所表现出来的现象在芯片本身有两点:</P><P>(1)被电的PIN脚对电源或对地有较大漏电甚至短路;</P><P>(2)被电芯片的电源和地有较大漏电甚至短路;</P><P>以上两点为ESD使芯片失效的根本原因,表象为该芯片功耗变大,损伤不太严重时,有部分功能。</P><P>EEPROM单元的是靠浮栅热电子充放电保存数据,数据存储可靠性与静电、磁场并无关系。数据丢失需要芯片内部有极大的电场强度,只有通过芯片的编程、擦除操作才能实现,一般的ESD电场强度远远低于要求直(三到四个数量级)根本不会引起数据丢失。</P><P>一般芯片封装并不透光(包括紫外线),根本不会因为紫外线照射而数据丢失。</P><P>本人参加工作以来,参与的EEPROM电路设计多种,对芯片一级的ESD保护设计也有一定的研究,若观点有所错误,恳请指教,多多探讨。</P>[br]<p align=right><font color=red>+5 RD币</font></p>
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发表于 2006-8-22 12:41:00 | 显示全部楼层
应该说可能的,mos电路本身抗静电能力比双极差.但你说的现象可能与电路本身的缺陷有关,特别是存储数据丢失或错乱
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