PA中间的大GND pad点焊接不良造成的影响

SourTe · 发表于 2015-11-5 23:02:21

如题，小弟在一个生产制造商工作，遇到一些在校准时出现fail的情况，有时候加热一下会好，做CT发现PA或者ASM之类的芯片中间公共GND焊接不饱满，想问问大神们，GND接地不良对PA的影响有多大，有没有文献资料，小弟在此谢过~

angelming · 发表于 2015-11-6 00:19:09

我这方面没经验，只是觉得是不是焊盘寄生电容的影响？频率多少啊

joshuacp · 发表于 2015-11-6 10:48:01

有可能有影响。这方面的文献估计没有。

fibocomtest · 发表于 2015-11-10 11:17:10

等待大神~

oldmaster · 发表于 2015-11-10 14:48:31

PA肚子中间那块地主要是用来散热的，PA的die一般就在其正上方。如果焊接不良会导致上方PA die的结温快速上升，而结温增高又会带来饱和功率下降、噪声增大、记忆效应增加等问题。

criterion · 发表于 2015-11-10 15:00:07

这问题可以这样问
如果PA的中间那个GND Pad 接地不良会怎样?
可参照这个帖子

http://bbs.52rd.com/forum.php?mo ... p;extra=&page=4

SourTe · 发表于 2015-11-22 19:43:48

criterion 发表于 2015-11-10 15:00
这问题可以这样问
如果PA的中间那个GND Pad 接地不良会怎样?
可参照这个帖子

感谢大神指导~非常感谢

ligangqiang08 · 发表于 2015-11-26 09:38:05

学习了

walking001 · 发表于 2015-11-26 13:11:59

学习～～～～～～～～～～～～～

dwtfcu123 · 发表于 2015-12-1 19:01:59

ry thty jmbh nf

aini1314 · 发表于 2016-1-20 09:44:55

学习啦

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[讨论] PA中间的大GND pad点焊接不良造成的影响