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[讨论] 谁能解释下AGNG与DGND的具体区别,一定要有所区分吗

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发表于 2015-9-17 10:45:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
谁能解释下AGNG与DGND的具体区别,一定要有所区分吗
发表于 2015-9-18 13:45:06 | 显示全部楼层
模拟地 数字地 。后者抗干扰能力强于前者,当干扰小的时候  基本一样
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发表于 2015-9-21 22:39:50 | 显示全部楼层
PGND是指电源地/机壳地,POWER GND
AGND是指模拟地,ANALOGUE GND
DGND是指数字地,DIGITAL GND
TGND是指特殊芯片参考地
之所以分开是为了避免不同部分之间的相互干扰,比如数字模拟之间,数字多为高频信号,如果和模拟混到一起会因互助干扰而工作不正常,电源部分通常引入很多纹波或高次谐波,所在电源地最好也要分开, 但最终所有的地还是要连到一起,一般用磁珠连接。

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发表于 2015-10-5 08:50:37 | 显示全部楼层
@3#,学习了
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发表于 2015-10-8 11:53:34 | 显示全部楼层
学习学习  对对对
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发表于 2015-10-11 20:46:12 | 显示全部楼层
学习学习
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发表于 2015-10-29 16:52:30 | 显示全部楼层
因为高频涡流效应,在回路中有存在不同点的压差.模拟电路尤其对此敏感,地的不纯净导致模拟噪音,降低snr,于是,有必要隔离模拟地(AGND),并且集中到一个PLANE,然后通过磁珠单点接入GND

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发表于 2015-10-29 16:52:46 | 显示全部楼层
因为高频涡流效应,在回路中有存在不同点的压差.模拟电路尤其对此敏感,地的不纯净导致模拟噪音,降低snr,于是,有必要隔离模拟地(AGND),并且集中到一个PLANE,然后通过磁珠单点接入GND

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发表于 2016-3-15 11:36:42 | 显示全部楼层
grh rth gdb cn fdhy ewbds f
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发表于 2016-3-16 10:21:43 | 显示全部楼层
小手一抖i,积分到手
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发表于 2016-8-22 09:31:14 | 显示全部楼层
因为高频涡流效应,在回路中有存在不同点的压差.模拟电路尤其对此敏感,地的不纯净导致模拟噪音,降低snr,于是,有必要隔离模拟地(AGND),并且集中到一个PLANE,然后通过磁珠单点接入GND
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发表于 2016-8-30 09:24:53 | 显示全部楼层
3楼讲的很好
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发表于 2016-9-29 08:53:25 | 显示全部楼层
[em10][em10]
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