ESD静电分析矛盾之处，欢迎大家参与讨论

爱情骑士

静电枪对手机地放电，注入的是恒定电荷还是恒定电压？
手机与水平耦合板之间形成的电容板，只要距离固定了，形成的电容大小是一定的。
实际上当手机远离耦合板时，形成的电容值更小，更难出现ESD问题。这如何解释呢？
1、假设静电枪注入的是恒定的电压，那电容C越小，Q=C*U，手机上的获得的电荷越小，然后就更难出现ESD问题?损坏手机的不是高压吗，和电荷多少有什么关系？
2、假设静电枪注入的是恒定电荷，那么电容C越小，U=Q/C，手机与耦合板之间的电压越高，这样更应该出现问题才对啊？

shbloveyf

静电是条不归路，学习ing

shbloveyf

上次就发现屏朝上和朝下差别很大，后来经验人士告诉我是tp的原因，至今没搞懂

爱情骑士

shbloveyf 发表于 2015-4-23 12:08
静电是条不归路，学习ing

[em11]

爱情骑士

怎么没人啊，激情在哪？来自: Android客户端

是不是电容越大，耦合越强？

zjwens

难得现在有这么认真的工程师了，我谈谈自己的看法，抛砖引玉啊
1、假设静电枪注入的是恒定的电压，那电容C越小，Q=C*U，手机上的获得的电荷越小，然后就更难出现ESD问题?损坏手机的不是高压吗，和电荷多少有什么关系？
ans：静电没有恒压还是恒Q的说法，我们平时说的8K、12K其实只是放电瞬间的DC分量电压，静电是ns级别，上升和泄放下降包含DC分量和太多高频AC分量，DC分量可以认为就是你说的恒压；
        那我们拿DC分量说事，离耦合板越远，确实电容C越小，但（Q=C*U，手机上的获得的电荷越小）这句是错误的，你要先了解泄放路径的概念：我们都知道静电在主板上乱窜，它一直在找最短路径，一条打静电点到离耦合板最近的铜面路径上，比如电池朝下，电池表面是正极，那静电就想方设法进入VBAT，那在VBAT上挂的IC就悲剧了，比如TP朝下，那静电会通过地，在通过TP走线上的电容或 单级TVS等进入走线打卦TP。
        好，假设你电池朝下，但离耦合板很远，那电荷到电池表面就没那么强烈，也就是电流它不按照原路劲走了，分流到很多地方。结果，在VBAT上挂的IC没问题，出现了很多其它的问题。而分流到其它路劲的阻抗不一，V/R=I，每路电流也不一样了，到达最终目的地电池的表面汇集的电流 和 之前只走这路的电流有可能一样，有可能不一样，取决于阻抗。在ns级别里，Q=I*T，Q也有可能一样，有可能不一样。
         记住，发生问题取决于泄放路径，离耦合板远近是泄放路径变了，之前有问题的泄放路径变成多条泄放路径，静电才有机可乘进入IC。而原泄放路径电流是小了，因为分流到其它地方了。

2、假设静电枪注入的是恒定电荷，那么电容C越小，U=Q/C，手机与耦合板之间的电压越高，这样更应该出现问题才对啊？
ans：上面理解就行。

lili0801

[em08]

angusfan

6#大神，请受我一拜

分析的很好，但愿自己能理解

fibocomtest

谢谢6楼大神指导！

Helf

楼主说的是采用IEC61000-4-2的静电敏感度测试方法，静电枪输出的是不同水平的电压，其内部放电电路是330 ohm放电电阻，与150pF的储能电容。通过水平或垂直耦合板对产品放电是空气放电方式，静电枪的静电直接传导至放电耦合板上，然后耦合板再对产品通过空气介质进行放电。其实就是耦合板带静电后，击穿空气对产品放电。所以，耦合板上的静电压越高（耦合板与产品间的静电场越高），越容易击穿空气，进而对产品的静电放电损坏越严重。

wgjnto

路过，学习~

yuangang0101

学习了。。。

yjs0416

关注中。。。

wgjnto

关注中

一张草纸

7楼讲得很好，要是能举一些项目中遇到的问题，分析解决的思路我想对我等新手来说会更好。

一张草纸

shbloveyf 发表于 2015-4-23 12:10
上次就发现屏朝上和朝下差别很大，后来经验人士告诉我是tp的原因，至今没搞懂

可以讨论。遇到一个项目屏朝下会出现TP跳点，屏朝上则正常，这种怎么判定是板子收到干扰还是TP本体收到干扰

shbloveyf

一张草纸 发表于 2016-6-4 16:43
可以讨论。遇到一个项目屏朝下会出现TP跳点，屏朝上则正常，这种怎么判定是板子收到干扰还是TP本体收到干 ...

你tp灵敏度太高了。让tp厂改一下固件就ok了

一张草纸

shbloveyf 发表于 2016-6-9 11:40
你tp灵敏度太高了。让tp厂改一下固件就ok了

TP IC厂调了很久都没搞定。