PA 自激

songqiufeng · 发表于 2015-2-13 10:56:27

本人在制作PA的时候使用的LDMOS是BLF7G20L-200，但是单独调试的时候发现了它自激了，现象为低频很多振荡，将输入端VGS供电位置串联了一个电阻，低频振荡消失，变成了单个谱振荡，而且在工作频带内，对电源线添加10uF电容5颗，220uF电解电容1颗，匹配电容1颗。但仍然不能消除。将LDMOS和PCB用焊锡膏和高温焊台与铝壳体焊接到一起，仍然存在。请问这个事匹配的问题吗？以前只做小信号，振荡的情况不多，即使有也很好消除，大功率初次制作，出了这样问题，请高手指点。谢谢

angusfan · 发表于 2015-2-13 17:08:21

坐等大神回复

qianliduxing1 · 发表于 2015-2-13 22:34:18

坐等大神答复

fibocomtest · 发表于 2015-2-14 14:31:19

坐等大神回复

wuchu6 · 发表于 2015-2-14 22:07:04

我也遇见你差不多的问题，我用的MOS管G极供电是用电阻分压的把靠近G极的电容去了就不地自激了，

fatsnake001 · 发表于 2015-2-15 09:25:10

带内自激可以试着动动匹配

bajie123 · 发表于 2015-2-26 19:40:34

没用过这个管子，看你的描述应该是管子本身不稳定，大功率的管子不一定在全频段内全部稳定，即其全频段阻抗并非全部在smith圆内，或者说全频段内k直不全大于1，特别是低频，通常情况下是在管子的输入端加衰减，但会带来增益的降低，我经常的用法是在管子的输入端加入高通，此方法好处是可以保证低频不再自激，还能保证增益没有太大变化，百试不爽的办法，推荐给你

bajie123 · 发表于 2015-2-26 19:40:59

没用过这个管子，看你的描述应该是管子本身不稳定，大功率的管子不一定在全频段内全部稳定，即其全频段阻抗并非全部在smith圆内，或者说全频段内k直不全大于1，特别是低频，通常情况下是在管子的输入端加衰减，但会带来增益的降低，我经常的用法是在管子的输入端加入高通，此方法好处是可以保证低频不再自激，还能保证增益没有太大变化，百试不爽的办法，推荐给你

chaoge9 · 发表于 2015-3-22 00:14:38

不一定是自激，是不是你的链路增益太高了？

yuyouling84 · 发表于 2015-3-23 16:22:01

栅极供电串接10欧电阻进shape根部，输入驻波带内调到-10dB以下，话说你这是开盖自激还是闭盖自激？还有大管子接地用的铝板，接地情况也可能不好，最好用铜基板。

frmsega · 发表于 2015-4-14 16:28:10

無圖無真相。我用過BLF7G22-200.。應該和20-200差不太多。
你工作頻段多少？？

wlqfa · 发表于 2015-5-18 15:29:21

豪芯微电子科技（上海）有限公司携其控股公司广州钧衡微电子有限公司，共同推出手机功率放大器（PA）产品。
多频多模PA及多款单频4G PA特别是高频段的BAND40，41已在客户端使用，3G PA仅出货中兴微已达KK级。

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