在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析

piao_xue

【文件名】:0661@52RD_在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析.PDF
【格　式】:pdf
【大　小】:120K
【简　介】:
【目　录】:

dpx4086

晕,原来是 电路与系统学报  上的一篇论文.
摘要：本文详细分析了用于射频集成电路设计的MOS场效应管（MOSFET）的稳定特性。利用米勒（Miller）效
应和y 参数两种方法对MOSFET 的稳定特性做了定性和定量的理论分析，并给出了理论分析和实际仿真的对比结果，
从中可看出理论分析和仿真结果完全相符。最后，本文以一个工作于2.4GHz，0.5μm 工艺的低噪声放大器（LNA）
设计为例，给出了在具体电路设计中，提高整个电路稳定性的方法。
关键词：稳定性；米勒效应；y 参数；MOSFET；低噪声放大器


真希望下次楼主能把资料情况介绍清楚一点.这样我就不用再花这个冤枉钱了.