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[IC设计资料] 深亚微米功耗优化的简化模型

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发表于 2006-5-31 14:49:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
【文件名】:06531@52RD_深亚微米功耗优化的简化模型.rar
【格 式】:rar
【大 小】:170K
【简 介】:摘要:结合DVS和ABB技术,同时调整工作电压Vdd
和衬底偏置电压Vbs的方法能有效降低深亚微米功耗.在解
析方法的基础上提出了已知频率下功耗优化的Vdd,Vbs简化模型.模型中任意频率下对应的优化Vdd,Vbs值中之一为常数,避免了解析方法中的超越方程求解.文章进一步对不同电容时简化模型中的参数提出了近似估计方法
SEM.0.18um和0.07um工艺参数下模拟试验表明,采用简化模型以及SEM估计方法得到的优化功耗值与解析方法得到的结果十分接近,最大误差为2%和5%,平均误差为0.8%和1%.模拟实验表明本文的模型及方法在保证优化精度的基础上减小了计算复杂度,适用于深亚微米下的功耗优化及评估.
关键词:解析方法;简化模型;SEM 估计方法;DVS;ABB

【目 录】:
1.引言
2.功耗和延迟模型
3.功耗优化的解析方法
4.简化的功耗优化模型
5.验证结果
6.结论


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