旺宏研发出最新36nm工艺的SLC NAND FLASH

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旺宏36nm工艺的SLC NAND FLASH问世
NAND FLASH由于技术和工艺的难度，市场一直被三星、海力士、美光等少数半导体企业所瓜分。中国台湾虽然在存储领域耕耘多年，但一直为涉足NAND FLASH领域。中国台湾半导体企业多年技术的积累和革新，台湾旺宏不甘落后，2012年推出了75nm、512Mb的SLC NAND FLASH。值得骄傲的是旺宏新技术、新容量的产品如雨后春笋。



2014年第二季度，全球非挥发性闪存(Non-Volatile Memory)解决方案领导厂商旺宏电子宣布，其先进的十二吋晶圆厂已开始研发制造第二代36奈米Single-Level Cell(SLC)NAND型闪存系列产品。
　　

这一最新SLC NAND Flash包含3V及1.8V两个系列，存储容量横跨1Gb至8Gb。旺宏同时推出NAND-based MCP(Multi-Chip Package)产品，以提供客户更完整的NAND Flash产品解决方案，满足嵌入式及无线网络市场广泛的应用需求。

　　

随着消费性电子产品功能日趋多样化，其内建的操作系统亦越显复杂，带动嵌入式市场对于高容量、高效能闪存需求的快速成长。旺宏推出的SLC NAND Flash，依此市场趋势应运而生，不但性能卓越，具高可靠度，且产品容量及操作温度范围更广，并享有旺宏自有晶圆厂的长期技术支持。

　　

旺宏电子营销副总经理倪福隆表示：“旺宏第二代36纳米SLC NAND系列产品，搭配原有的第一代512Mb及1Gb产品，能提供客户更完备的产品组合及解决方案，并更加巩固旺宏在嵌入式市场现有的领导地位。旺宏以自有的研发技术，从既有的Parallel NOR、Serial NOR及XtraROM产品线，再进一步延伸至NAND，此一产品开发策略与规划，充分展现旺宏长期致力于提供高效能非挥发性闪存产品解决方案的承诺，将能满足客户对先进可靠之嵌入式闪存日益殷切的需求。”





　　产品主要规格：

　　●36nm floating-gate process technology

　　●Industrial temperature range (-40℃~+85℃)

　　●High reliability with 100K program/erase (P/E) cycle endurance

　　●SLC NAND performance with 25us random access, 25ns sequential access

　　●Industry-standard 48-pin TSOP, and 63-ball VFBGA packages

　　●Product Longevity Program support

　　产品供应：

　　●第二代2Gb, 4Gb NAND已进入量产

　　●第二代8G NAND将于2014下半年陆续进入量产

　　●第二代1G NAND将于2015上半年陆续进入量产

　　●NAND MCP已于2014 Q2陆续送样, 将于2014下半年开始量产

　　●第一代1Gb, 512Mb NAND皆已量产出货

大盛唐电子在2014年10月份正式开始代理台湾旺宏的产品线（nand flash，norflash，spi nor flash），正式成为台湾旺宏MXIC电子的中国区一级代理商，曾R,steve@szdst.com.cn，134※3042※8959，,1217※854※027.