场效应管电路设计问题

yuebing1314momo · 发表于 2014-8-29 11:11:10

本帖最后由 yuebing1314momo 于 2014-8-29 11:12 编辑

各位大神帮忙看一下这个电路设计有问题吗？场效应管用的是TN2404。目前出现的问题是，T2经常会坏掉

dsjts · 发表于 2014-8-29 18:44:20

你是要做反相器吗？T2的D和S接反了吧？
100V电压够高的啊，T1和T3的Vds受得了？

yuebing1314momo · 发表于 2014-9-2 11:40:47

dsjts 发表于 2014-8-29 18:44
你是要做反相器吗？T2的D和S接反了吧？
100V电压够高的啊，T1和T3的Vds受得了？

不是反相器呀，是开关控制电路。D+处是输入控制方波。现在的问题是T2经常坏。

zmichael · 发表于 2014-9-3 10:36:15

T2这个换成PMOS吧，这么控制有问题，管子有一端接高电平做控制，你这个用N管栅极容易坏。要想用N管最好再加个数字三极管做反相器

zhgqiao · 发表于 2014-9-5 10:23:19

我是看不懂的

xiaoyaolwg · 发表于 2014-11-8 17:58:16

首先，你的这种应用有问题。这么大的电压，应该用继电器隔离，代替T2。这么大的电压，瞬间冲击峰值很大，在看一下T2的手册吧，而且你这个T2也没有加DS间的反向保护二极管。

joneyoung · 发表于 2014-11-10 16:41:04

不知道后端的所需的电流多大？

DZ87 · 发表于 2014-12-11 20:47:46

三极管，mos管，一直傻傻分不清楚怎么样用

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