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[讨论] 高通XO部分的频率校准如何实现

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发表于 2014-8-14 16:07:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
借贵地问个问题。

关于高频时钟,比如MTK的26MHz和高通的19.2MHz。初步了解到这个时钟的精确度要求还是很高的,比如GSM的不大于1ppm,以及CDMA的不大于0.1ppm等。

MTK支持DCXO和VCTCXO,DCXO用来代替VCTCXO,以及免32K晶体。MTK的平台中,该高频XO位于RF芯片,比如6166和6167有AFC信号,用于对VCTCXO的频率进行trim,使用DCXO时,利用数字方式进行对频率的trim。

而高通平台,19.2M XO位于PMU芯片,不兼容VCTCXO,没有AFC信号,也没有类似DCXO的数字控制信号,请问这个0.1ppm的精确度是通过什么保证的?或者高通平台对于时钟频率的校准方面是如何做的?

谢谢。
52RD网友  发表于 2015-3-26 11:30:19
XO的温度检测值上报给MODEM,MODEM内部算法会根据RF Rx的信号提取时钟,对比后直接发送指令给PMIC内部控制器,PMIC内部控制器会控制XO电路内部负载电容从而实现频率补偿。
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发表于 2014-8-15 09:44:36 | 显示全部楼层
高通平台是补偿XO的负载电容来调制精度的
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 楼主| 发表于 2014-8-18 14:42:38 | 显示全部楼层
hitsunflower 发表于 2014-8-15 09:44
高通平台是补偿XO的负载电容来调制精度的

哪个信号输入PMU芯片来实现这个负载电容的控制?未见到有相关控制脚。有知情的达人么?
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发表于 2014-8-19 13:16:01 | 显示全部楼层
不懂。。。。
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发表于 2014-8-23 12:10:42 | 显示全部楼层
还是先研究下晶体特性再来提问吧
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 楼主| 发表于 2014-8-26 14:23:28 | 显示全部楼层
rainfor 发表于 2014-8-23 12:10
还是先研究下晶体特性再来提问吧

楼上,你能解释就多说几句,有说这句话的工夫还不如点睛一番。

晶体再准,也有个体差异,温度、老化、不能精确保证的负载电容。

我是没有了解高通平台主时钟的trim方式才来提问的。
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发表于 2014-8-26 15:19:47 | 显示全部楼层
估计是微调PMU内部的负载。

另,高通以前也用VCTCXO的。
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 楼主| 发表于 2014-8-27 14:25:13 | 显示全部楼层
Louis_jing 发表于 2014-8-26 15:19
估计是微调PMU内部的负载。

另,高通以前也用VCTCXO的。

可能是,但并没有发现RF或BB芯片返回过来的相关引脚。按道理应该是根据与基站的频率比较,然后返回控制调整PMU内部的时钟。
难道19.2M的主时钟没调整,只trim了射频测RX/TX的参数?有知情者么?
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发表于 2014-9-4 10:52:20 | 显示全部楼层
帅哥,你的问题答案基本在晶体的参数里面,不知道你有没哟去看过。
首先XO晶体的稳定性,标称是+-2ppm,实际上会在+-1或者更小。然后距离你的0.1ppm还有很大差距,这个过程就是另外一个参数的指标,具体是不是相位噪声我忘了,不是主修,加上锁相环控制在0.1ppm内,高通的技术实现是很easy的;剩下的才是校准要解决的问题。
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 楼主| 发表于 2014-9-4 15:48:29 | 显示全部楼层
本帖最后由 vipwl 于 2014-9-4 15:51 编辑
rainfor 发表于 2014-9-4 10:52
帅哥,你的问题答案基本在晶体的参数里面,不知道你有没哟去看过。
首先XO晶体的稳定性,标称是+-2ppm,实 ...


我真被你打败了。

1,晶体差异、老化、温度,不知道是你没读还是太了解晶体,以上导致的频率精确度偏移是需要修调的,这个与噪声无关。
2,鉴于1中的频率偏差,作为参考时钟的输入源不准,锁相环就别扯了。
3,问题没有提及相位噪声,不属于本篇讨论。我就是没想明白高通的这个19.2M XO在PMU侧是否作了trim,没做又是如何实现<0.1ppm的同步要求的。

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发表于 2014-9-5 08:36:40 | 显示全部楼层
虽然我也不是很懂,起个抛砖引玉作用吧。
XO主要通过温度检测来调节内部电容值来保证精度要求!
晶体与机械应力和温度有关!
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发表于 2016-1-23 18:12:17 | 显示全部楼层
楼上正解!
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发表于 2016-2-17 18:21:30 | 显示全部楼层
学习了
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发表于 2016-6-5 22:08:08 | 显示全部楼层
学习了,谢谢分享
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发表于 2016-7-18 11:37:44 | 显示全部楼层
学习啦
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