射频TDD噪声到底是217HZ还是GSM和DCS的频段

louis_hao

看有的设计比如用33PF电容，那么就应该是滤除射频段的。
而有的RC又有是滤除217HZ，所以一直没搞清楚这个TDD噪声到底是滤除哪个频段的

dsjts

去测下PA供电电压就知道了，通话期间，217Hz的压降非常明显。

fylz

1、33pF 是滤除900M 的高频信号的。
2、滤除900M 高频信号后， 在电路上(IC内部电路上的二极管效应）就不会检波出217HZ 的信号
3、900M GSM 高频信号 因为时分 BURST 发射 会形成 217HZ
4、因为900M 的最大功率是33 dBm 比 1800M DCS 30dBm 大上一倍， 在弱信号下所以比较容易出现217HZ 的干扰， 通常电路上就33pF ，如果针对1800M 通常就是12pF。

metalsi

只要是GSM，不分频段

louis_hao

metalsi 发表于 2013-11-7 09:43
只要是GSM，不分频段

可能我之前没表达清楚。我不是说是射频的哪个频段，我的意思是指是滤除射频频段的高频信号，还是滤除217HZ这个频段。
不是指是滤除900M还是1800M

dsjts

要回答这个问题其实很简单，楼主是否知道什么是TDD呢？
TDD-时分双工(Time Division Duplexing)，在手机行业，TDD噪声专指GSM的burst发射所形成的217Hz噪声。
217Hz是人耳能够识别的，通常在audio器件通路设置217Hz滤波。

louis_hao

dsjts 发表于 2013-11-7 10:28
要回答这个问题其实很简单，楼主是否知道什么是TDD呢？
TDD-时分双工(Time Division Duplexing)，在手机行 ...

但是组成217HZ的还是几百MHZ的高次谐波啊

KingTang

fylz 发表于 2013-11-7 11:24
1、33pF 是滤除900M 的高频信号的。
2、滤除900M 高频信号后， 在电路上(IC内部电路上的二极管效应）就不 ...

比较详细！！！

dsjts

有一点毫无疑问，如果你说TDD，那么就是217，而不是900M。
杂波无处不在，关键在于你能否接受。
对于audio电路，217是无法接受的，而其他功能电路并不在乎217，因此217滤波只存在于audio通路。
33pf是用来滤除900M的频率成分，这是个通用的电容，并非只是audio通路在用，所有关注900M干扰的通路都会存在。

ps3ps2psp

如果滤波在audio部分，需要多大的电容？加磁珠行吗？

louis_hao

ps3ps2psp 发表于 2013-11-7 15:33
如果滤波在audio部分，需要多大的电容？加磁珠行吗？

如果是217HZ的话，比如MIC电路，MIC的输入阻抗是20K，一般取-3dB截至，根据f=1/2*Pi*R*C可算出电容的大小。
加磁珠肯定是可以的，不过加磁珠可能声音会小吧。

louis_hao

dsjts 发表于 2013-11-7 13:40
有一点毫无疑问，如果你说TDD，那么就是217，而不是900M。
杂波无处不在，关键在于你能否接受。
对于audi ...

33pf应该是根据0402的电容寄生电感在1NH左右，从而得出33pf的谐振频率滤除900M比较合适。
我这里关于TDD的一个疑问，主要是TDD噪声不是每个4.6ms发射一次900mHZ的射频包络从而产生的噪声吗？那么理论上滤除900MHZ的干扰就好了。
主要是这里搞不明白。

dsjts

33pf的理解是对的，但TDD的理解有误差。
TDD产生的根本原因，是因为RF在每个4.6ms中选择1/8时间发射功率，PA发射所需的瞬时大电流或者天线辐射出去的瞬时大功率，形成了217噪声。
还是那句话：TDD-时分双工(Time Division Duplexing)，定义中与900M没有任何关系。因此严格来说，33pf不是针对TDD的，而是针对900M的。

cl_hzw

TDD在GSM中都是存在的，只是干扰是否被感知。