硅片切割的常用方法有哪些

bj2002

　　硅片切割的常用方法有哪些

　　硅片加工工艺流程一般经过晶体生长、切断、外径滚磨、平边、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、包装等阶段。近年来光伏发电和半导体行业的迅速发展对硅片的加工提出了更高的要求(图1.2)：一方面为了降低制造成本，硅片趋向大直径化。另一方面要求硅片有极高的平面度精度和极小的表面粗糙度。所有这些要求极大的提高了硅片的加工难度，由于硅材料具有脆、硬等特点，直径增大造成加工中的翘曲变形，加工精度不易保证。厚度增大、芯片厚度减薄造成了材料磨削量大、效率下降等。

　　硅片切片作为硅片加工工艺流程的关键工序，其加工效率和加工质量直接关系到整个硅片生产的全局。对于切片工艺技术的原则要求是：①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好，消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率，缩小刀(钢丝)切缝，降低原材料损耗。④提高切割速度，实现自动化切割。

　　目前，硅片切片较多采用内圆切割和自由磨粒的多丝切割(固定磨粒线锯实质上是一种用线性刀具替代环型刀具的内圆切割)。内圆切割是传统的加工方法(图1.3a)，材料的利用率仅为40%～50%左右;同时，由于结构限制，内圆切割无法加工200mm以上的大中直径硅片。

　　多丝切割技术是近年来崛起的一项新型硅片切割技术，它通过金属丝带动碳化硅研磨料进行研磨加工来切割硅片(图1.3b)。和传统的内圆切割相比，多丝切割具有切割效率高、材料损耗小、成本降低(日进NWS6X2型6” 多丝切割加工07年较内圆切割每片省15元)、硅片表面质量高、可切割大尺寸材料、方便后续加工等特点。来源：中国电力电子产业网http://xny.p-e-china.com/