电压经过mos管后为什么纹波增大？

praul007 · 发表于 2012-11-24 16:33:00

有个项目，输入电压在MOS管的前端测得的纹波大概是200mv，经过MOS管后增大为340mv，请问这是什么引起的？
用的是P沟道增强型MOS管。
另请教，评估一个MOS管的性能如要看哪些参数？
不胜感激！

jianbwx · 发表于 2012-11-29 14:33:44

MOS管目前在手机电路中多作为点评开关来使用，我们一般关注的参数有：
1：开启电压VGS，导通电压先考虑，要选择与我们平台输出电压想吻合的管子
2：导通阻抗Rds，MOS管一般都很小，大致看下，管子导通后VDS压降不能太大（一般都是mV级别）
3：漏源击穿电压VDS:稍微关注下
4：温度系数
5：节点电容：Cgs MOS管作为开关，用PWM控制的时候，Cgs在不停的充电放点，电容太大会产生很大的EMI，一般在G极上加10ohm左右电阻来限制充电。

手机里一般MOS作为开关，理论上只是电平转换，不会有额外产生纹波大的问题吧？太大那就加电容滤波吧，，

PS：楼主你是神马项目？是手机么？这200MV的纹波也太大了吧

luzhenz · 发表于 2012-11-26 10:39:11

饱和区的MOS管具有增益。纹波类似小信号了吧。

praul007 · 发表于 2012-11-26 09:40:11

别沉啊，大家帮忙看看

w9900 · 发表于 2012-11-24 21:30:55

看看大牛怎么回答

longforljy · 发表于 2012-12-8 11:51:06

以下是引用praul007在2012-11-24 16:33:00的发言：
有个项目，输入电压在MOS管的前端测得的纹波大概是200mv，经过MOS管后增大为340mv，请问这是什么引起的？
用的是P沟道增强型MOS管。
另请教，评估一个MOS管的性能如要看哪些参数？
不胜感激！

很简单的问题啊，|GS|电压不够大，使工作点在临界饱和区（甚至线性区），使得管压降有明显变化，当然纹波就变大了。
所以，加大|GS|电压就好了（如果Gate已经接地，那就弄个负电源吧或者换个驱动能力强一点的管子吧）[/COLOR]

zhengxuejian · 发表于 2012-12-24 18:55:26

应该是UGS的问题，这个电压决定了MOS管的工作区域，只有UGS足够大让MOS管工作在饱和区，才能保证稳定的电压输出，如楼上所说，增大G端电压或者S端的负电压，如果还不行，那就是管子本身的驱动能力不行，换驱动电流更大的管子吧

kevenyang · 发表于 2018-1-30 20:14:58

R DS(ON)很重要

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