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DDR全名为Double Data Rate SDRAM ，简称为DDR。现在DDR技术已经发展到了DDR 3，理论上速度可以支持到1600MT/s。DDR总线走线数量多，速度快，操作复杂，探测困难，给测试和分析带来了巨大的挑战。
DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。至于地址与控制信号则与传统SDRAM相同，仍在时钟上升沿进行数据判断。
目前，许多计算机使用时钟频率为533MHz的DDR2内存,更先进的DDR2内存正在日益普及，它的时钟频率在400 MHz-800 MHz之间，新的DDR3内存的时钟频率则可以工作在800MHz-16OOMHz之间。DDR3内存芯片还有另外一个长处：更低的能耗，它的运行电压是1.5伏，低于DDR2内存芯片的1.8伏和DDR1内存芯片的2.5伏。在使用电池的设备中能够延长电池续航时间，因为能耗低，产生的热量也就少，从而对冷却的要求也就低一些。
DDR 2&3几个新增特性的含义是：ODT（ On Die Termination）,DDR1 匹配放在主板上，DDR2&3把匹配直接设计到DRAM芯片内部，用来改善信号品质。OCD(Off Chip Driver)是加强上下拉驱动的控制功能，通过减小DQS与/DQS(DQS是数据Strobe，源同步时钟，数据的1和0由DQS作为时钟来判断) Skew(时滞)来增加信号的时序容限（Timing Margin）。Posted CAS是提高总线利用率的一种方法。AL（Additive Latency）技术是相对于外部CAS，内部CAS执行一定的延时。
其中DQS是源同步时钟，在接收端使用DQS来读出相应的数据DQ，上升沿和下降沿都有效。DDR1总线，DQS是单端信号，而DDR2&3, DQS则是差分信号。DQS和DQ都是三态信号，在PCB走线上双向传输，读操作时，DQS信号的边沿在时序上与DQ的信号边沿处对齐，而写操作时，DQS信号的边沿在时序上与DQ信号的中心处对齐，参考图2，这就给测试验证带来了巨大的挑战：把“读”信号与“写”信号分开是非常困难的！
Addr/Cmd Bus意思是地址/命令总线，都是时钟的上升沿有效，其中命令由：/CS(片选)，/RAS, /CAS,/WE（写使能）决定，比如：“读”命令为：LHLH，“写”命令为：LHLL等。操作命令很多，主要是NOP（空超作），Active（激活）,Write，Read，Precharge (Bank关闭)，Auto Refresh或Self Refresh（自动刷新或自刷新）等（细节请参考：Jedec规范JESD79）。Data Bus是数据总线，由DQS的上升沿和下降沿判断数据DQ的0与1。
DDR 1&2&3总线的信号完整性测试
DDR总线PCB走线多，速度快，操作时序复杂，很容易出现失效问题，为此我们经常用示波器进行DDR总线的信号完整性测试和分析，通常的测试内容包括：
1，命令信号的波形和时序参数：需要测试/RAS，/CAS，/WE，/CS的信号品质，如Vmax（最大电压值），Vmin（最小电压值），Slew Rate（斜率），Ringback(回沟)等；还需要测试相对于时钟边沿的Setup Time（建立时间）和Hold Time（保持时间）。测试相对于时钟边沿的建立时间和保持时间时，需要注意参考电平的位置和最差情况波形的捕获。如图3的/CS建立时间和保持时间的测试就没有测试出最差的建立时间和保持时间值，为此，我们需要用眼图累积的方式设法找到最差情况下的建立时间和保持时间。
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发表于 2012-10-23 09:17:54
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