射频开关layout应该注意些什么？开关的选择应该看哪些指标？

liuhongtao

射频开关layout应该注意些什么？走线的一些规则和技巧。开关的选择应该看哪些指标？就是spec里面应该关注的，在选型的时候，比较重要的，大家一起来总结总结吧~

criterion

1. Insertion Loss :
  
以Rx的角度而言  因为LNA前端的Insertion Loss  
对整体Noise Figure影响最大   所以ASM的Insertion Loss若过大
会使灵敏度变差




而以TX角度而言   因为ASM在PA输出端  倘若ASM的Insertion Loss过大
会使得PA Post Loss增加  这样会使PA需要打更大的输出功率来达成Target Power




当然，PA输出功率打越大，那就是越接近饱和点，其线性度会越差




所以Insertion Loss越小越好



2. Isolation




以现今的智能手机而言，涵盖越来越多RF功能，包含GSM, WCDMA, LTE……等，
因此集结各RF功能Tx/Rx路径的ASM，其isolation好坏，对于Rx的性能，有着明显影响。



由上图可知，PCS的Tx频率范围，会跟DCS的Rx频率范围，有部分重迭，
若ASM的Isolation不够好，则DCS的Sensitivity会受PCS的Tx影响。


所以Isolation越大越好





3. Harmonics

若ASM所产生的Harmonics太强，则会影响接收性能，
例如LTE B17的3倍谐波，就会影响LTE B4的接收性能  如下图




因此Harmonics越小越好




4. IIP2/IIP3   IMD2/IMD3

以DCS 1800与WCDMA IMT为例，
若发射给基地台的WCDMA频率(1.95 GHz)，与其他手机发射的DCS 1800频率(1.76 GHZ)，
在ASM中产生IMD3，则将会影响WCDMA IMT的接收性能 (2*1.95 – 1.76 = 2.14)。



因此IMD3至少要小于-105 dBm，才不至于有Desense或Blocking的风险。


另外，若Transceiver为零中频架构，则RF讯号会直接降频为Baseband直流讯号，



而IMD2的频率范围，正好会座落在直流讯号附近，会影响解调结果，
因此IMD2不能太大，才不会使解调结果太差。


至于IIP2/IIP3，则表示抑制IMD2/IMD3的能力，
亦即IIP2/IIP3大，则表示抑制IMD2/IMD3的能力越好，即所产生的IMD2/IMD3越小



所以IIP2/IIP3  越大越好
IMD2/IMD3越小越好



5. P1dB

P1dB衡量的是ASM的最大功率承受能力，也可说是线性度。
以GSM 850/EGSM 900为例，PCL = 5时，Power大概为32.5 dBm。
然而实际上在做Calibration时，会一并测量PA之最大发射功率，衡量硬件极限，
多半是34 dBm ~ 34.5 dBm，
因此ASM的P1dB，最好能有40 dBm，才能保有最佳线性度。


所以P1dB越大越好



6. ESD  Rejection

ESD的防护，也是ASM的性能指针之一。
原因是以手机而言，静电会沿着外壳缝隙，转为直流讯号，寻找金属路径，
而天线的金属面积大  是静电的良好导体
因此其静电很可能会由天线   一路沿着RF路径流过去  
而ASM是最靠近天线的IC   同时也是所有Band的Tx/Rx集散地   
因此必须做好把关的动作
避免让静电一路流向收发器





而有些ASM会有建议的外挂ESD保护电路，型式皆为串联电容与并联电感。
串联电容为DC Block，并联电感则是将直流讯号bypass到GND。




而有些甚至已经直接内建在ASM里，不需额外的ESD保护电路，省去成本与空间。


所以ESD Rejection   越大越好




其他详细原理    可参照




在此就不赘述

hhww540

还是注意阻抗和线宽  间距吧

liuhongtao

自己顶!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

ljpsandy

这么贵，质量不高