问个比较小白的问题：PA的组成结构

ps3ps2psp · 发表于 2012-3-6 15:26:44

问下现在手机的PA主要是CMOS的吗？有用mosfet的吗？
如果是cmos，材料是GaAs还是SiGe？还是其他？

有啥区别？

ps3ps2psp · 发表于 2012-3-13 17:10:03

嗯，了解，谢谢。

ztemt · 发表于 2012-3-13 16:06:01

手机功放的构架你可以看成是一个小的系统，GaAs是衬底（相当于手机主板的PCB），放大用的管子是HBT工艺，因为HBT的基级是正电压控制的，一般的GaAs MOS是负电压控制栅极（比如雷达上用的MMIC），手机功放显然不会用负电压，所以才有HBT工艺，当然这也和材料成本等有关系，HBT也不是唯一的选择。手机功放除了有放大信号的管子外，还得有控制电路，这部分电路是用cmos设计的，coms具有成本低，体积小的特点。所以一个完整的手机功放是有多种工艺的，最后混合封装在一起形成一个芯片，其实它的设计难度还是有点大的，这也是为什么国产手机PA很少的原因。

ps3ps2psp · 发表于 2012-3-13 11:49:56

哎，被网上误导了。
砷化镓既有hbt的也有mesfet的，但不知道我们手机pa用哪个？厂家？？
cmos的有互补材料的si bi的也有普通si的，
bjt就是si的。

ps3ps2psp · 发表于 2012-3-12 11:43:18

77523是cmos pa，hbt形式，材料应该是GaP？
77558和77604都是 BiCmos。也是HBT形式，材料是GaP和GaAs。

这个不是砷化镓PA吧，但是后2个为啥也用砷化镓？
另外HBT形式到底属于bjt还是cmos？

我有点晕了。

ps3ps2psp · 发表于 2012-3-12 11:38:17

请看Sky的这几个pa：

【文件名】:12312@52RD_sky77523.pdf
【格　式】:pdf
【大　小】:217K
【简　介】:
【目　录】:

ps3ps2psp · 发表于 2012-3-12 09:39:24

嗯，有朋友使用BICMOS的PA吗在手机上，哪家的PA？性能咋样？

cylbailey · 发表于 2012-3-10 01:24:01

GaAs多是HBT(heteojunction bipolar transistor),以获得高的电子迁移率，SiGe多是Bicmos结构，可以在成本优势的基础上获得接近GaAs的性能。

king05439836 · 发表于 2012-3-7 16:45:08

我觉得从工艺上 CMOS ＰＡ应该是个趋势

song770110 · 发表于 2012-3-7 13:09:39

了解下！！！

ps3ps2psp · 发表于 2012-3-7 11:40:13

嗯，谢谢楼上，看来和厂家，成本有关，不知道工艺上或者从3g发展上有啥方向。

king05439836 · 发表于 2012-3-7 10:44:38

不是是由于目前的工艺和技术水平是的CMOS PA的低成本优势显示不出来，还有砷化镓PA的技术成熟度高，所以目前的ＰＡ　大都还是　砷化镓　或者　ＢｉＣＭＯＳ的　　

ps3ps2psp · 发表于 2012-3-7 10:15:25

嗯，不知道谁有这方面的资料分享下， GaAs Mesfet难道会横跨2G-4g？

king05439836 · 发表于 2012-3-7 09:52:31

现在手机的PA 大多还是砷化镓， CMOS的也有但是很少，在市场销售的就更少了

ps3ps2psp · 发表于 2012-3-7 09:46:21

原来砷化镓是用的 JFET格式啊，为啥PA厂家不采用CMOS啊，不是有新工艺了吗？
3g-4gPA的发展方向会不会使用SIge bicoms呢？

ps3ps2psp · 发表于 2012-3-7 09:29:12

以下是引用429818242在2012-3-6 18:26:00的发言：
我的妈呀，CMOS那个MOS是啥意思知道不？就是mosfet啊。。。CMOS怎么又可能用到GaAs还是SiGe呢？

奇怪，为啥我看的资料是SiGe BiComs呢？为啥和你说的不同？
另外一般的砷化镓PA是那种结构？

lunwenbo · 发表于 2012-3-6 18:45:56

百度会告诉你一切

429818242 · 发表于 2012-3-6 18:26:00

我的妈呀，CMOS那个MOS是啥意思知道不？就是mosfet啊。。。CMOS怎么又可能用到GaAs还是SiGe呢？

luolh · 发表于 2012-3-18 22:42:14

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