竞夺全球半导体主导权 三星将量产21纳米NAND Flash

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据韩国媒体报导，三星电子(Samsung Electronics)即将投入现有NAND Flash生产设备中最微细的21纳米电路线幅产品量产流程。为抢夺全球半导体市场主导权，各半导体业者间展开激烈竞争，一面加速开发可制造出微型芯片的微细制程，以确保成本竞争力，另一方面为开发次世代尖端半导体，也不排除与竞争对手进行合作。

三星成功率先投入21纳米NAND Flash量产，将可守住在NAND Flash业界领先地位。2011年第1季，三星在NAND Flash市场上以营收计算的市占率为35.9%，排名第1；日厂东芝(Tochiba)以0.3%的微小市占差距紧追在后。三星量产21纳米NAND Flash后，可望成为稳固业界排名的契机。

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三星持续投入NAND　Flash微细制程研发及量产工作，半导体技术竞争将更加剧。法新社
三星相关人员表示，三星在27纳米制程NAND Flash后，终于也将投入下个世代的产品量产流程，然具体制程则无法对外公开。21纳米制程较现有的27纳米制程的生产性，提升50%以上。

三星2010年4月开始量产27纳米NAND Flash，开启全球20纳米等级制程的时代，经过1年3个月，三星即发展到21纳米产品，展示其独步全球的技术水平。为在技术开发的竞争中不被NAND Flash业界排名第2和第3的东芝和海力士(Hynix)追过，三星卯足了全力。

而半导体后继业者为加速开发次世代半导体，正积极寻求合作伙伴。海力士日前确定将与东芝共同研发次世代存储器STT-MRAM，除共同研发外，也将设立合资公司共同生产，并延长既有的专利交叉授权及产品供应合约。

东芝为全球存储器芯片排名第3的大厂，MRAM技术和开发能力方面相当具有竞争力，全球存储器排名2、3名的企业互相合作，也大幅提升成功的可能。

MRAM与既有存储器芯片相比，可以较低耗电量运行，具有无电源供应也能储存信息的非挥发性优点，稳定性相当高。

海力士社长权五哲表示，MRAM运行速度快，耗电量较低，具有高信赖性等，拥有现存存储器的各种优点，将会是满足新行动装置需求扩大、产品需具备高性能的新时代存储器最佳产品。

另外，东芝7月底将在日本三重县八日市新半导体厂中，以19纳米制程量产NAND Flash，目前东芝主要量产24纳米制程产品。海力士在技术竞争中也不落人后，将于2011年第4季以20纳米制程量产NAND Flash。

另一方面，主要DRAM芯片价格进入历年来最低水平，据市调机构DRAMeXange统计，1Gb容量DRAM产品7月上半价格较6月下半下跌9.09%至0.84美元。2Gb产品2011年上半的价格也下跌8.25%至1.78美元，再打破先前最低价1.84美元。