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[讨论] burst memory 和page memory 的区别

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发表于 2010-9-26 21:21:35 | 显示全部楼层 |阅读模式
哪位高人能讲讲burst memory和page memory的区别?
发表于 2010-9-27 21:10:32 | 显示全部楼层
52RD的论坛里有这方面的帖子。 我不记得是怎么说的了
反正是主要区别在预缓存的模式。 就是说一块数据被读取时,系统会把这块数据所在的页上的数据多读一部分到缓存区,下次再读到这页的时候可能就直接读缓存而不用到Memery的页上去读了。  Page模式和Burst模式具体都是怎么做的就不知道了。 似乎burst模式灵活一点。
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发表于 2010-12-10 18:51:43 | 显示全部楼层
基带设计需要这么深入吗?
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发表于 2011-2-25 14:24:16 | 显示全部楼层
burst读取速度会相对快一些
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发表于 2011-2-25 13:44:42 | 显示全部楼层
burst需要clock同步,page的不需要.
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发表于 2011-5-6 17:28:03 | 显示全部楼层
顶,学习了
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发表于 2011-5-1 13:46:19 | 显示全部楼层
下一个flash的datasheet,详细了解了解。
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发表于 2011-4-28 16:24:49 | 显示全部楼层
?????[em01]
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发表于 2011-6-11 22:32:55 | 显示全部楼层
Burst 需要clock时钟,是同步模式,
PAGE 不需要时钟,是异步模式。
比如SDRAM 就有Bust mode
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发表于 2011-6-27 18:49:17 | 显示全部楼层
那异步模式就只有PAGE mode吗,还有一种常规模式属于哪种啊?
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