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[讨论] MOSFET内阻大,造成掉电现象

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发表于 2010-5-6 11:27:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
各位兄弟姐妹,目前遇到电源的MOSFET内阻过大,在低电压工作时容易造成终端掉电,麻烦推荐一下低内阻的MOSFET,或是推荐国内的做MOSFET半导体公司,我自己找,谢谢了!!!
发表于 2010-5-7 10:08:22 | 显示全部楼层

MOSFET

本帖最后由 dxr135 于 2015-4-28 11:21 编辑

可以看看韦尔
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发表于 2010-5-18 21:16:27 | 显示全部楼层
路过!!!
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发表于 2010-5-26 18:57:48 | 显示全部楼层
dengdai`~[em11][em10]
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发表于 2010-5-30 16:16:03 | 显示全部楼层
以下是引用liwenming19在2010-5-6 11:27:01的发言:
                 各位兄弟姐妹,目前遇到电源的MOSFET内阻过大,在低电压工作时容易造成终端掉电,麻烦推荐一下低内阻的MOSFET,或是推荐国内的做MOSFET半导体公司,我自己找,谢谢了!!!

lz,你的mosfet内阻多大的?[em13]
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发表于 2010-6-1 12:12:56 | 显示全部楼层
[QUOTE]浠ヤ笅鏄?紩鐢╗i]dengguo1987鍦?010-5-30 16:16:03鐨勫彂瑷
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发表于 2010-6-2 12:35:30 | 显示全部楼层
条件都没说,鬼知道怎么给你挑选?
一般来说挑选n-mosfet,至少要从以下几点出发:
1,Vds大小
2,Rdson大小,这个和Vgs对应的。
3,封装问题,一般这个会决定能承受的功率大小。过电流大小和这个有关的。
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发表于 2010-6-7 11:23:39 | 显示全部楼层
lz,7楼的说的很对
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发表于 2010-6-8 09:36:36 | 显示全部楼层
以下是引用newplayer在2010-6-2 12:35:30的发言:
条件都没说,鬼知道怎么给你挑选?
一般来说挑选n-mosfet,至少要从以下几点出发:
1,Vds大小
2,Rdson大小,这个和Vgs对应的。
3,封装问题,一般这个会决定能承受的功率大小。过电流大小和这个有关的。


NMOS不适合切电源,需要升压电路,我猜LZ的意思就是Vds,Vgs一样的情况下,找一个更小的Rdson的PMOS,MOS过电流的大小和Rdson和散热功率有关。
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发表于 2010-8-17 19:53:33 | 显示全部楼层
国内做充电类MOS的原厂有韦尔,比亚迪,
国外的有ON-SEMI,VISHAY啊
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发表于 2010-8-27 12:37:07 | 显示全部楼层
还要看Id的大小
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发表于 2010-10-9 18:38:44 | 显示全部楼层
有机会可以试试,不知道一致性如何
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发表于 2011-1-7 15:24:02 | 显示全部楼层
国际知名的MOSFET厂家:

仙童
IR
Vishay

尤其是大电流或者高电压的应用场合,品牌很关键。
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发表于 2011-1-7 17:44:25 | 显示全部楼层
顺便问一下,R(DS)静态有多大?就是什么都不连
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