LDO layout 对比

lindend · 发表于 2010-4-26 09:47:47

左右的layout比右边的layout好在哪里呢？

请各位达人赐教

gdrjc · 发表于 2010-4-27 08:28:44

没看到图~！

lindend · 发表于 2010-4-28 10:36:39

<img src="attachments/dvbbs/2010-4/201042810362673499.jpg" border="0" onclick="zoom(this)" onload="if(this.width>document.body.clientWidth*0.5) {this.resized=true;this.width=document.body.clientWidth*0.5;this.style.cursor='pointer';} else {this.onclick=null}" alt="" />
不好意思，补上贴图

cylbailey · 发表于 2010-4-28 16:23:40

第二个。

zzd88 · 发表于 2010-4-28 18:51:25

左边的LAYOUT单点接地做的好些。但CIN的电容放的不好，不要另外引出线才好。
[em01][em01][em01]

cylbailey · 发表于 2010-4-29 20:30:49

以下是引用cylbailey在2010-4-28 16:23:40的发言：
第二个。

第二个好，LDO和开关电源的接地方式有些区别。输入，输出的电容，和本身的带隙的地最好不要刻意共用一个回流路径，如果你把LDO本身看成是个可变电阻的话，从bypass的角度来讲，前后级是不能共地的。而且照第一种图的接法，参考电平可能也不准。

lindend · 发表于 2010-4-30 13:45:26

晕，其实有专家说第一个比第二个好，我就是不是很明白，结果到这里变成第二个比第一个好了。呵呵[em10]

milkline · 发表于 2010-4-30 16:09:37

单点接地增加了线路的引线电感，减弱了旁路电容的作用，不知5楼为何说好。

amplifier · 发表于 2010-4-30 21:21:03

好在去耦电容离IC比较近些！

alex-liu · 发表于 2010-5-5 13:43:58

期待更多高手發表見解![em08]

		自动登录	找回密码
密码			注册

[讨论] LDO layout 对比

好在去耦电容离IC比较近些