笔记本中MOSFET管控制电源芯片开关的详细讲解

choice · 发表于 2010-3-9 10:02:48

P-MOSFET的开关实例
【文件名】:1039@52RD_P-MOSFET的开关实例.doc
【格　式】:doc
【大　小】:39K
【简　介】:在上电过程中，I/O供电电源经过MOSFET管连接到外部电源上，外部电源通过DC/DC模块变换后作为内核电源。只有当内核电源的稳定状态输出引脚输出低电平时，才会接通外部I/O电源，保证了内核先于I/O供电。
【目　录】:无

[em01]

ocelot · 发表于 2010-3-10 13:06:23

贵！！！！！！！

twgx5858 · 发表于 2010-4-16 10:09:17

那么贵呀

sping · 发表于 2010-4-16 23:40:32

挺贵的啦~

yiwei1976 · 发表于 2010-9-21 21:14:04

好贵，买不起[em01]

xuphone · 发表于 2010-10-2 13:07:31

上当了，我直接把内容贴出来好了
在上电过程中，I/O供电电源经过MOSFET管连接到外部电源上，外部电源通过DC/DC模块变换后作为内核电源。只有当内核电源的稳定状态输出引脚输出低电平时，才会接通外部I/O电源，保证了内核先于I/O供电。
　　在掉电过程中，由于外部供电线路中某些容性器件的存在，外部电源电压由正常值到0状态会有一个过程。因此，当外部电源降低到DC/DC模块的输出电压以下时，稳定状态输出引脚（PG）会输出高电平从而关闭MOSFET，关闭I/O电源。然后外部电源继续降低，DC/DC输出也随之降低从而使内核电源断电。这样就控制了系统的掉电次序。

　图1 内核和I/O电源均为3.3 V供电的DSP系统
　　这种方法采用P通道MOSFET管作为电源分配开关，以514465为例，该器件有一个大约9 mΩ的回流吸收电阻。当SG间电压大于2.5 V时（SO-8封装），MOSFET管导通允许有几安培的电流。对于不同封装的514465器件，导通电压和最大允许的电流也有所区别，可以根据需要选择合适的封装。此外，选择P通道MOSFET管也要注意其内阻，必须保证内阻上的压降不能大于通过MOSFET管电压的1％～2％。此外，在电路设计时还必须保证PG能够正确地打开MOSFET管。由于大部分器件的PG都是集电极开路（Open drain），为保证当PG处于高阻状态能够关断MOSFET管，需要增加一个上拉电阻，如图1所示。

michael_tree · 发表于 2010-10-22 11:13:44

感谢6楼分享

liuguoping19 · 发表于 2010-11-30 12:12:52

能免费共享就好了

bargood · 发表于 2013-5-16 16:28:05

对于骗子应该可以投诉

lilinyf · 发表于 2013-5-19 16:41:08

好像很不错

lilinyf · 发表于 2013-5-19 17:02:38

看看怎么样

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